Si5975DC
Vishay Siliconix公司
双P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.086 @ V
GS
= --4.5 V
--12
0.127 @ V
GS
= --2.5 V
0.164 @ V
GS
= --1.8 V
I
D
(A)
--4.1
--3.4
--3.0
S
1
S
2
1206-8 ChipFETt
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
G
1
G
2
标识代码
DD XX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
底部视图
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
订货信息：
Si5975DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--12
8
单位
V
--4.1
--3.0
--10
--1.8
2.1
1.1
--55到150
260
--3.1
--2.2
--0.9
1.1
0.6
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71320
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-1
Si5975DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= --1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8
V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
--5 V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --3.1 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --2.5 A
V
GS
= --1.8 V，I
D
= --1.0 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --5 V，I
D
= --3.1 A
I
S
= --0.9 A，V
GS
= 0 V
--10
0.070
0.100
0.131
8
--0.8
--1.2
0.086
0.127
0.164
S
V
--0.45
100
--1
--5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= --0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= --6 V ，R
L
= 6
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --6 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --3.1 A
5.7
1.2
1.2
10
20
31
26
40
15
30
45
40
60
ns
9
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通2.5 V
8
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
2V
6
10
传输特性
T
C
= --55_C
8
25_C
6
125_C
4
4
1.5 V
2
1V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71320
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
2-2
Si5975DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.30
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.25
- 电容（pF ）
0.20
V
GS
= 1.8 V
0.15
V
GS
= 2.5 V
0.10
0.05
0.00
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 4.5 V
200
C
RSS
0
0
3
6
9
12
1000
电容
800
C
国际空间站
600
400
C
OSS
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 3.1 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.1 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
2
3
4
5
6
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.25
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.20
I
D
= 3.1 A
T
J
= 150_C
0.15
0.10
T
J
= 25_C
0.05
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71320
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-3
Si5975DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.25
50
单脉冲功率
0.15
V
GS （ TH）
方差（ V）
功率（W）的
40
I
D
= 1毫安
0.05
30
20
--0.05
10
--0.15
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
时间（秒）
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
-
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
2-4
文档编号： 71320
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5975DC
Vishay Siliconix公司
双P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.086 @ V
GS
= --4.5 V
--12
0.127 @ V
GS
= --2.5 V
0.164 @ V
GS
= --1.8 V
I
D
(A)
--4.1
--3.4
--3.0
S
1
S
2
1206-8 ChipFETt
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
G
1
G
2
标识代码
DD XX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
底部视图
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
订货信息：
Si5975DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--12
8
单位
V
--4.1
--3.0
--10
--1.8
2.1
1.1
--55到150
260
--3.1
--2.2
--0.9
1.1
0.6
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71320
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-1
Si5975DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= --1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8
V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
--5 V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --3.1 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --2.5 A
V
GS
= --1.8 V，I
D
= --1.0 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --5 V，I
D
= --3.1 A
I
S
= --0.9 A，V
GS
= 0 V
--10
0.070
0.100
0.131
8
--0.8
--1.2
0.086
0.127
0.164
S
V
--0.45
100
--1
--5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= --0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= --6 V ，R
L
= 6
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --6 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --3.1 A
5.7
1.2
1.2
10
20
31
26
40
15
30
45
40
60
ns
9
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通2.5 V
8
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
2V
6
10
传输特性
T
C
= --55_C
8
25_C
6
125_C
4
4
1.5 V
2
1V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71320
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
2-2
Si5975DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.30
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.25
- 电容（pF ）
0.20
V
GS
= 1.8 V
0.15
V
GS
= 2.5 V
0.10
0.05
0.00
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 4.5 V
200
C
RSS
0
0
3
6
9
12
1000
电容
800
C
国际空间站
600
400
C
OSS
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 3.1 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.1 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
2
3
4
5
6
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.25
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.20
I
D
= 3.1 A
T
J
= 150_C
0.15
0.10
T
J
= 25_C
0.05
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71320
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-3
Si5975DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.25
50
单脉冲功率
0.15
V
GS （ TH）
方差（ V）
功率（W）的
40
I
D
= 1毫安
0.05
30
20
--0.05
10
--0.15
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
时间（秒）
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
-
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
2-4
文档编号： 71320
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5975DC
Vishay Siliconix公司
双P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.086 @ V
GS
= --4.5 V
--12
0.127 @ V
GS
= --2.5 V
0.164 @ V
GS
= --1.8 V
I
D
(A)
--4.1
--3.4
--3.0
S
1
S
2
1206-8 ChipFETt
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
G
1
G
2
标识代码
DD XX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
底部视图
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
订货信息：
Si5975DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--12
8
单位
V
--4.1
--3.0
--10
--1.8
2.1
1.1
--55到150
260
--3.1
--2.2
--0.9
1.1
0.6
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71320
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-1
Si5975DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= --1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8
V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
--5 V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --3.1 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --2.5 A
V
GS
= --1.8 V，I
D
= --1.0 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --5 V，I
D
= --3.1 A
I
S
= --0.9 A，V
GS
= 0 V
--10
0.070
0.100
0.131
8
--0.8
--1.2
0.086
0.127
0.164
S
V
--0.45
100
--1
--5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= --0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= --6 V ，R
L
= 6
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --6 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --3.1 A
5.7
1.2
1.2
10
20
31
26
40
15
30
45
40
60
ns
9
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通2.5 V
8
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
2V
6
10
传输特性
T
C
= --55_C
8
25_C
6
125_C
4
4
1.5 V
2
1V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71320
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
2-2
Si5975DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.30
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.25
- 电容（pF ）
0.20
V
GS
= 1.8 V
0.15
V
GS
= 2.5 V
0.10
0.05
0.00
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 4.5 V
200
C
RSS
0
0
3
6
9
12
1000
电容
800
C
国际空间站
600
400
C
OSS
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 3.1 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.1 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
2
3
4
5
6
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.25
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.20
I
D
= 3.1 A
T
J
= 150_C
0.15
0.10
T
J
= 25_C
0.05
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71320
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
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2-3
Si5975DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.25
50
单脉冲功率
0.15
V
GS （ TH）
方差（ V）
功率（W）的
40
I
D
= 1毫安
0.05
30
20
--0.05
10
--0.15
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
时间（秒）
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
-
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
2-4
文档编号： 71320
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
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