飞利浦半导体
产品speci fi cation
双3输入NOR门和反相器
DC特性
对于单级逆变器（我
7
/O
3
):
看到家庭的规格输入电压高，低（无缓冲阶段只） 。
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
1
到我
6
→
O
1
,O
2
5
10
15
5
I
7
→
O
3
（输出缓冲）
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PHL
; t
PLH
t
PHL
; t
PLH
符号
典型值。
70
35
30
45
25
20
60
30
20
60
30
20
马克斯。
140
70
55
90
50
40
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
HEF4000B
门
典型的外推
公式
43纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
18纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
12纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
7 700 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
28 700 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
