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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF4000B
门
双3输入NOR门和反相器
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双3输入NOR门和反相器
描述
该HEF4000B提供了积极的双3输入或非
功能。与标准的单级反相功能
输出性能,也可实现。的输出是
完全缓冲的最高抗噪性和图案
不敏感的输出阻抗。
HEF4000B
门
图2钢钉图。
HEF4000BP ( N) :
HEF4000BD (F ) :
HEF4000BT (D):
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷( CERDIP )
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
图1的功能框图。
( ) :封装标识北美
系列数据,我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
图3的逻辑图。
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双3输入NOR门和反相器
DC特性
对于单级逆变器(我
7
/O
3
):
看到家庭的规格输入电压高,低(无缓冲阶段只) 。
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
1
到我
6
→
O
1
,O
2
5
10
15
5
I
7
→
O
3
(输出缓冲)
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PHL
; t
PLH
t
PHL
; t
PLH
符号
典型值。
70
35
30
45
25
20
60
30
20
60
30
20
马克斯。
140
70
55
90
50
40
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
HEF4000B
门
典型的外推
公式
43纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
24纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
18纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
14纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
12纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
1 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
7 700 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
28 700 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
∑
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双3输入NOR门和反相器
应用信息
下面的信息(图4至图7)只对单个
倒相级(我
7
/O
3
).
HEF4000B
门
Fig.4
电压增益(V
O
/V
I
)作为电源的功能
电压。
Fig.5
电源电流与电源的功能
电压。
这也是一个模拟放大器的使用的例子
单个逆变器级(我
7
/O
3
)的HEF4000B的。
Fig.6
测试设置用于测量图4图
5 。
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双3输入NOR门和反相器
HEF4000B
门
图7测试设置用于测量正向跨克
fs
DI
o
/ DV
i
在V
o
是恒定的(另见图表8所示) 。
答:平均
B:平均+ 2秒,
C:平均
2秒,在“S”是观测的标准偏差。
图8典型正向跨导克
fs
随着电源电压的在T的函数
AMB
= 25
°C.
1995年1月
5
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HEF4000BN
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