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HAT2024R
硅N沟道功率MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-494 C（ Z）
4 。版
1997年7月
特点
低导通电阻
能够4 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
概要
SOP–8
8
5
7 6
34
1 2
7 8
D D
5 6
D D
2
G
4
G
S1
S 3
1, 3
2, 4
5, 6, 7, 8
S
G
DRA
MOS1
MOS2
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