HAT2024R
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏
当前
散热通道
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
PCH *
3
总胆固醇
TSTG
评级
30
±20
5.5
44
5.5
2
3
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
注意事项： 1， PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1 %
2. 1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW≤ 10秒
3. 2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW≤ 10秒
2
HAT2024R
主要特点
功率与温度降额
4.0
测试条件：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米） ， PW < 10秒
3.0
100
30
I
D
(A)
最高安全工作区
10 s
10
0
s
P沟（W）的
10
DC
2.0
1D
RIV
1.0
eO
pe
RAT
离子
s
=1
ERA
0m
TIO
s
n(
1
PW
操作
＆ LT ; 1
No
0 s
te5
0.3这个区域是
)
限于由R
DS （ ON）
0.1
TA = 25°C
0.03 1次脉冲
0.01 1驱动器操作
3
Op
PW
1m
散热通道
0
漏电流
RIV
2D
ra
pe
eO
n
吨IO
50
100
150
200
0.1
环境温度Ta （C ）
0.3
1
3
10
漏极至源极电压V
30
(V)
DS
100
注5：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米）
I
D
(A)
I
D
(A)
典型的输出特性
10V 8 V
20
5V
6V
脉冲测试
16
4.5 V
12
4V
典型的传输特性
20
25°C
TC = 75℃
–25°C
12
16
漏电流
8
漏电流
3.5 V
3V
V
GS
= 2.5 V
8
4
4
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
2
4
6
漏极至源极电压V
8
(V)
DS
10
0
2
大门Source4
Voltage6 V
(V)
GS
8
10
4
HAT2024R
硅N沟道功率MOS FET
高速电源开关
REJ03G1159-0500
（上一个： ADE- 208-494C ）
Rev.5.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
能够4 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
概要
瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D
（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）
7 8
D D
5 6
D D
65
87
12
34
2
G
4
G
1, 3
2, 4
5, 6, 7, 8
来源
门
漏
S1
MOS1
S3
MOS2
Rev.5.00 2005年9月7日第1页7
HAT2024R
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
注1
价值
30
±20
5.5
44
5.5
2
3
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
PCH
注3
PCH
总胆固醇
TSTG
注2
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2. 1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
3. 2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
30
±20
—
—
1.0
—
—
3.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.05
0.078
5.5
310
220
100
17
190
25
60
0.9
50
最大
—
—
±10
10
2.0
0.065
0.11
—
—
—
—
—
—
—
—
1.4
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 5.5 A，V
GS
= 0
I
F
= 5.5 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 20 A / μs的
注4
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 3 A，V
GS
= 10 V
注4
I
D
= 3 A，V
GS
= 4 V
I
D
= 3 A，V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= 4 V，I
D
= 3 A,
V
DD
10 V
注4
注4
Rev.5.00 2005年9月7日第2 7
HAT2024R
开关特性
500
V
GS
= 4 V, V
DD
= 10 V
PW = 3
s,
税
≤
1 %
开关时间t（ NS ）
200
100
50
tr
tf
TD （关闭）
20
10
5
0.1
TD （上）
0.2
0.5
1
2
5
10
漏电流
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
I
D
(A)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 1驱动器操作）
1
D=1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
ls
pu
e
θch
- F（T） =
γ
S（ T）
θch
– f
θch
- F = 125°C / W ，TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
ot
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
100
D=
0.001
PW
T
h
1s
0.0001
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW （S ）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 2驱动器操作）
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
1
D=1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
LSE
θch
- F（T） =
γ
S（ T）
θch
– f
θch
- F = 166 ° C / W ，TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
D=
pu
0.001
1s
PW
T
t
ho
0.0001
10
100
脉冲宽度PW （S ）
Rev.5.00 2005年9月7日第5 7
QQ：2881677436 复制
