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HAT1036R
硅P沟道功率MOS FET
电源开关
ADE - 208-662D （ Z）
5 。版
1999年2月
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 11毫欧（典型值）
能够-4 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
概要
SOP–8
8
5
7 6
5 6 7 8
D D D D
3
1 2
4
4
G
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
S S S
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