HAT1036R
硅P沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G1149-0700
（上一个： ADE- 208-662E ）
Rev.7.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 11毫欧（典型值）
能够-4 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
概要
瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D
（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）
5 6 7 8
D D D D
65
87
3
12
4
4
G
1, 2, 3
4
5, 6, 7, 8
来源
门
漏
S S S
1 2 3
Rev.7.00 2005年9月7日第1页6
HAT1036R
反向漏电流 -
源极到漏极电压
50
反向漏电流I
DR
(A)
40
–
10 V
V
GS
=
0
30
–
5 V
20
10
脉冲测试
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
θch
- F（T） =
γ
S（ T）
θch
– f
θch
- F = 83.3 ° C / W ，TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
P
DM
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
PW
T
0.01
0.02
0.01
0.001
1sh
p
ot
ULS
e
0.0001
10
100
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
VIN
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
开关时间波形
10%
90%
90%
90%
VIN
–4 V
50
V
DD
= –10 V
VOUT
TD （上）
10%
tr
TD （关闭）
10%
tf
Rev.7.00 2005年9月7日第5 6
HAT1036R
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
-30
±20
-12
-96
-12
2.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW
≤
10 s
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
-30
—
—
-1.0
—
—
12
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
11
21
20
4200
870
360
70
12
14
120
350
100
120
-0.85
55
最大
—
±0.1
-1
-2.5
14
34
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-1.11
—
单位
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nc
nc
nc
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= -12 A，V
GS
= 0
Note1
I
F
= -12 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 20 A /
s
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= -30 V, V
GS
= 0
V
DS
= -10 V，I
D
= -1毫安
I
D
= -6 A，V
GS
= -10 V
Note1
I
D
= -6 A，V
GS
= -4 V
Note1
I
D
= -6 A，V
DS
= -10 V
Note1
V
DS
= -10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= -10 V
V
GS
= -10 V
I
D
= -12 A
V
GS
= -4 V，I
D
= -6 A
V
DD
-10 V
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
门源漏电流
零门voltege漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
1.脉冲测试
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
2
HAT1036R
主要特点
功率与温度降额
4.0
-500
测试条件：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米） ， PW < 10秒
3.0
最高安全工作区
10 s
10
0
s
1
P沟（W）的
I
D
(A)
-100
PW
Op
ERA
TIO
n
-10
散热通道
漏电流
DC
=1
ms
0m
2.0
s
1.0
PW
-1行动
N
＆ LT ; 1
OTE
0s
4
这个区域是
)
限于由R
DS （ ON）
-0.1
(
0
50
100
150
的Ta （℃）
200
环境温度
-0.01
-0.1 -0.3
-1
-3
-10 -30 -100
漏极至源极电压V
DS
(V)
注4 ：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米）
TA = 25℃
1次脉冲
典型的输出特性
-50
-10V
-5 V
-50
-4 V
脉冲测试
典型的传输特性
V
DS
= -10 V
脉冲测试
I
D
(A)
-30
-3.5 V
-20
漏电流
漏电流
I
D
(A)
-40
-40
-30
-20
25°C
–25°C
-10
V
GS
= -3 V
-10
TC = 75℃
0
-2
-4
-6
漏源极电压
-8
V
DS
(V)
-10
0
-1
-2
-3
栅极至源极电压
-4
V
GS
(V)
-5
3
HAT1036R
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
-0.4
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m
)
-0.5
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
脉冲测试
50
20
10
5
V
GS
= -4 V
-10 V
漏源极电压
-0.3
-0.2
I
D
= -10 A
-5 A
-2 A
0
-4
-8
-12
栅极至源极电压
-16
-20
V
GS
(V)
-0.1
2
1
-0.1 -0.2 -0.5 -1 -2 -5 -10 -20 -50 -100
漏电流I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m
)
脉冲测试
40
I
D
= -2 A, -5 A, -10 A
30
V
GS
= -4 V
20
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
50
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
30
10
75 °C
3
1
0.3
0.1
-0.1
V
DS
= -10 V
脉冲测试
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
25 °C
TC = -25°C
10
-10 V
0
–40
-2 A, -5 A, -10 A
0
40
80
120
160
壳温度（ ° C）
漏电流I
D
(A)
4
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