订购数量： ENN6338
N沟道MOSFET硅
CPH6404
超高速开关应用
特点
·低导通电阻。
·超高速开关。
· 4V的驱动器。
包装尺寸
单位：mm
2151A
[CPH6404]
0.2
0.05
2.9
6
5
4
0.15
0.6
1
2
3
0.95
0.6
1.6
2.8
0.4
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1%
安装在陶瓷板（ 900毫米
×0.8mm)
2
1 ：排水
2 ：排水
3 ：门
4 ：源
5 ：排水
6 ：排水
三洋： CPH6
条件
0.7
0.9
0.2
评级
30
±20
6
24
1.6
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
| YFS |
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 30V ， VGS = 0
VGS = ± 16V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 3A
ID = 3A ， VGS = 10V
ID = 1A ， VGS = 4V
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
1.0
4.2
6
33
48
550
130
80
43
68
条件
评级
民
30
1
±10
2.4
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
标记： KD
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
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30300TS （ KOTO ） TA- 1931年No.6338-1 / 4
