订购数量： ENN6338
N沟道MOSFET硅
CPH6404
超高速开关应用
特点
·低导通电阻。
·超高速开关。
· 4V的驱动器。
包装尺寸
单位：mm
2151A
[CPH6404]
0.2
0.05
2.9
6
5
4
0.15
0.6
1
2
3
0.95
0.6
1.6
2.8
0.4
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1%
安装在陶瓷板（ 900毫米
×0.8mm)
2
1 ：排水
2 ：排水
3 ：门
4 ：源
5 ：排水
6 ：排水
三洋： CPH6
条件
0.7
0.9
0.2
评级
30
±20
6
24
1.6
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
| YFS |
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 30V ， VGS = 0
VGS = ± 16V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 3A
ID = 3A ， VGS = 10V
ID = 1A ， VGS = 4V
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
1.0
4.2
6
33
48
550
130
80
43
68
条件
评级
民
30
1
±10
2.4
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
标记： KD
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
30300TS （ KOTO ） TA- 1931年No.6338-1 / 4
CPH6404
从接下页。
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷"Miller"
二极管的正向电压
符号
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
VDS = 10V ， VGS = 10V ， ID = 6A
VDS = 10V ， VGS = 10V ， ID = 6A
VDS = 10V ， VGS = 10V ， ID = 6A
IS = 6A ， VGS = 0
评级
民
典型值
10
30
55
50
13
1.5
2.2
0.86
1.2
最大
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VDD=15V
10V
0V
VIN
VIN
G
P.G
ID=3A
RL=5
D
VOUT
PW=10s
D.C.≤1%
50
S
CPH6404
9
ID - VDS
6.0V
10
ID - VGS
VDS=10V
4.
3.0
0V
V
25
°
C
TA = -
-
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
8
7
9
8
V
漏电流，我
D
– A
3.5
漏电流，我
D
– A
10.0
V
6
5
4
3
2
1
0
6
5
4
3
2
1
0
VGS=2.5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
75
°
3.0
7
C
25
°
3.5
IT01235
120
140
IT01237
漏极至源极电压，V
DS
– V
160
IT01234
100
栅极 - 源极电压，V
GS
– V
RDS （ ON） - VGS
Ta=25°C
静态漏 - 源
通态电阻，R
DS （ ON）
– m
RDS （ ON） - TA
静态漏 - 源
通态电阻，R
DS （ ON）
– m
140
120
80
3A
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
60
A， VG
I D = 1
40
4V
S=
10V
, V
S=
I
D = 3A摹
ID=1A
20
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
栅极 - 源极电压，V
GS
– V
IT01236
环境温度TA - C
No.6338-2/4
C
CPH6404
正向转移导纳， | YFS | - S
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7
10
| YFS | - ID
VDS=10V
10
7
5
3
2
IF - 室间隔缺损
VGS = 0
正向电流I
F
– A
5
°
C
=--2
Ta
C
75
°
25
°
C
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0
0.1
0.2
0.3
0.4
°
C
25
°
C
0.6
0.01
0.01
0.001
0.5
0.7
0.8
0.9
1.0
漏电流，我
D
– A
1000
7
5
IT01238
10000
7
5
3
2
二极管的正向电压，V
SD
– V
TA
75
--25
°
C
IT01239
SW时间 - ID
VDD=15V
VGS=10V
西塞，科斯，的Crss - VDS
f=1MHz
切换时间， SW时间 - NS
3
2
西塞，科斯，的Crss - pF的
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
0.1
TD （关闭）
tf
TD （上）
tr
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
西塞
科斯
CRSS
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
0
5
10
15
20
25
30
IT01241
漏电流，我
D
– A
10
9
IT01240
100
7
5
3
2
漏极至源极电压，V
DS
– V
VGS - 的Qg
VDS=10V
ID=6A
漏电流，我
D
– A
ASO
IDP=24A
ID=6A
10
栅极 - 源极电压，V
GS
– V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
IT01242
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
<10
s
10
0
1m
s
s
m
s
10
DC
op
ERA
0m
s
0.1
7
5
Ta=25°C
3
单脉冲
2
安装在陶瓷板（ 900毫米
2
×0.8mm)
0.01
0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3
操作
这个区域是
受限于RDS （ ON） 。
TIO
n
总栅极电荷QG - 数控
2.0
漏极至源极电压，V
DS
– V
5 7 100
IT01243
PD - TA
允许功耗，P
D
– W
1.6
1.5
M
ou
nt
ed
on
ac
er
1.0
am
ic
bo
ar
d(
90
0m
0.5
m
2
×
0
.8m
m
)
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度TA - C
IT01244
No.6338-3/4
CPH6404
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
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PS No.6338-4 / 4
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