MJD32/32C
典型特征
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
1000
-10
V
CE
= -2V
I
C
= 10 I
B
h
FE
，直流电流增益
100
-1
V
BE
（SAT）
10
-0.1
V
CE
（SAT）
1
-0.01
-0.1
-1
-10
-0.01
-1E-3
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图1.直流电流增益
图2.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
1000
I
C
= 10.I
B
C
ob
[ pF的] ，电容
t
R
, t
D
[
S] ， TURN ON TIME
100
1
t
R
, V
CC
=-30V
t
R
, V
CC
=-10V
0.1
10
t
D
, V
BE
(off)=-2V
1
-0.1
-0.01
-1
-10
-100
-0.1
-1
-10
V
CB
[V] ，集电极 - 基极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图3.集电极电容
图4.开启时间
-10
I
C
= 10.I
B
I
CP
（最大）
10
0
t
F
, t
英镑
[
S] ，关断时间
I
C
[A] ，集电极电流
s
50
I
C
（最大）
0
1m
s
1
t
英镑
t
F
, V
CC
=-30V
s
-1
DC
t
F
, V
CC
(off)=-10V
-0.1
0.1
-0.01
-0.1
-1
-10
-0.01
-1
-10
-100
-1000
I
C
[A] ，集电极电流
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图5.关闭时间
图6.安全工作区
2001仙童半导体公司
32C
32
修订版A2 ， 2001年6月
