
MJD32/32C
MJD32/32C
通用放大器低速
切换应用程序
D- PAK表面贴装应用
负载形成了表面贴装应用(没有后缀)
直铅( I- PAK , “ - I”后缀)
电类似于热门TIP32和TIP32C
1
D- PAK
1.Base
1
I- PAK
3.Emitter
2.Collector
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
: MJD32
: MJD32C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
: MJD32
: MJD32C
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散(T
C
=25°C)
集电极耗散(T
a
=25°C)
T
J
T
英镑
结温
储存温度
参数
价值
- 40
- 100
- 40
- 100
-5
-3
-5
-1
15
1.56
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
( SUS)的
参数
*集电极发射极耐受电压
: MJD32
: MJD32C
集电极截止电流
: MJD32
: MJD32C
I
CES
集电极截止电流
: MJD32
: MJD32C
I
EBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(上)
f
T
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压ON
电流增益带宽积
V
CE
= - 40V, V
BE
= 0
V
CE
= - 100V, V
BE
= 0
V
BE
= - 5V ,我
C
= 0
V
CE
= - 4V ,我
C
= - 1A
V
CE
= - 4V ,我
C
= - 3A
I
C
= - 3, I
B
= - 375毫安
V
CE
= - 4A ,我
C
= - 3A
V
CE
= -10V ,我
C
= - 500毫安
3
25
10
-20
-20
-1
50
-1.2
-1.8
V
V
兆赫
A
A
mA
V
CE
= - 40V ,我
B
= 0
V
CE
= - 60V ,我
B
= 0
-50
-50
A
A
测试条件
I
C
= - 30mA时我
B
= 0
分钟。
-40
-100
马克斯。
单位
V
V
I
首席执行官
*脉冲测试: PW≤300μs ,职务Cycle≤2 %
2001仙童半导体公司
修订版A2 , 2001年6月