N沟道MOS - FET的
60V
0,01
2SK2809-01MR
FAP -IIIB系列
功耗
P
D
= F （T
C
)
50A
50W
＆ GT ;特色
110
100
90
80
70
P
D
/ P
DMAX
[%]
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
T
C
[°C]
100
125
150
最大雪崩电流与起始物为
ch
I
AV
= F （起始物为
ch
)
110
100
90
80
70
I
AV
/ I
阿维马克斯
[%]
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
起始物为
ch
[°C]
100
125
150
此规格如有变更，恕不另行通知！
