N沟道MOS - FET的
60V
0,01
2SK2809-01MR
FAP -IIIB系列
漏极 - 源极导通电阻与T
ch
R
DS （ ON）
= F （T
ch
); I
D
= 40A ; V
GS
=10V
50A
50W
＆ GT ;特色
典型的输出特性
I
D
= F（V
DS
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
典型的传输特性
I
D
= F（V
GS
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
↑
I
D
[A]
↑
R
DS （ ON）
[m]
↑
2
I
D
[A]
1
3
V
DS
[V]
→
T
ch
[°C]
→
V
GS
[V]
→
典型的漏源导通状态，电阻与我
D
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
典型正向跨导与我
D
g
fs
= F（我
D
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
栅极阈值电压与T
ch
V
GS （ TH）
= F （T
ch
); I
D
= 1毫安; V
DS
=V
GS
↑
R
DS （ ON）
[m]
↑
g
fs
[S]
↑
5
V
GS （ TH）
[V]
4
6
I
D
[A]
→
I
D
[A]
→
T
ch
[°C]
→
典型的电容与V
DS
C = F（V
DS
); V
GS
= 0V ; F = 1MHz的
典型栅极电荷特性
V
GS
= F量（Qg ） ;我
D
= 80A ;牛逼
C
=25°C
反向二极管的正向特性
I
F
= F（V
SD
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
ch
=25°C
↑
C [ F]
↑
V
DS
[V]
↑
V
GS
[V]
↑
I
F
[A]
7
8
9
V
DS
[V]
→
QG [ NC ]
→
V
SD
[V]
→
最大雪崩能量与起始物为
ch
E
AV
= F （起始物为
ch
): V
CC
= 24V ;我
AV
≤
50A
安全工作区
I
D
= F（V
DS
） ： D = 0.01 ， TC = 25℃
↑
Z
TH（ CH-C ）
〔 K / W〕
瞬态热阻抗
Z
thCH
= F（ t）的参数：D = T / T
↑
E
AV
[兆焦耳]
10
↑
I
D
[A]
12
起始物为
ch
[°C]
→
V
DS
[V]
→
T [ S]
→
此规格如有变更，恕不另行通知！
