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K4D263238E-GC
模式寄存器设置（ MRS）
128M GDDR SDRAM
模式寄存器中存储的数据，用于控制的DDR SDRAM的各种操作模式。它计划CAS延迟，
寻址方式，突发长度，测试模式， DLL复位和各种供应商特定选项，使DDR SDRAM有用
各种不同的应用。模式寄存器的缺省值没有被定义，因此该模式寄存器必须是
EMRS设置为正确的操作后写的。该模式寄存器写的是主张低CS ， RAS ， CAS和
WE （该DDR SDRAM应与CKE活动模式已经写入到模式寄存器之前，高） 。状态
地址引脚
0
~ A
11
和BA
0
， BA
1
在相同的周期的CS ， RAS，CAS和WE变为低电平被写入到模式寄存器。
最少两个时钟周期被要求填写在模式寄存器中的写入操作。的模式寄存器的内容
可以用操作期间相同的命令和时钟周期的要求，只要所有的银行都在改变
空闲状态。模式寄存器分为取决于功能性的各种领域。突发长度用一
0
~ A
2
,
寻址模式使用
3
， CAS延迟（读列地址的延迟）使用
4
~ A
6
. A
7
用于测试模式。一
8
is
用于DLL复位。一
7,
A
8
， BA
0
和BA
1
必须被设置为低电平时正常MRS操作。请参阅下表为具体的代码
对各种突发长度，寻址方式和CAS延迟。
BA
1
俄罗斯足协
BA
0
0
A
11
A
10
俄罗斯足协
A
9
A
8
DLL
A
7
TM
A
6
A
5
A
4
A
3
BT
A
2
A
1
A
0
地址总线
CAS延迟
突发长度
模式寄存器
DLL
A
8
0
1
复位DLL
No
是的
测试模式
A
7
0
1
模式
正常
TEST
突发类型
A
3
0
1
TYPE
顺序
交错
突发长度
0
CAS延迟
BA
0
0
1
A
n
~ A
0
太太
EMRS
A
6
0
0
0
0
* RFU （保留以备将来使用）
应该刘健期间保持"0"
周期。
1
1
1
1
MRS周期
0
CK ， CK
命令
NOP
预充电
所有银行
NOP
NOP
太太
A
2
潜伏期
版权所有
版权所有
版权所有
3
4
5
版权所有
版权所有
0
0
0
0
1
1
1
1
A
1
0
0
1
1
0
0
1
1
A
0
0
1
0
1
0
1
0
1
突发类型
顺序
储备
2
4
8
储备
储备
储备
整页
交错
储备
2
4
8
储备
储备
储备
储备
A
5
0
0
1
1
0
0
1
1
A
4
0
1
0
1
0
1
0
1
1
2
3
4
5
6
7
8
NOP
任何
命令
NOP
NOP
t
RP
t
MRD
=2 t
CK
* 1 ：刘健只能在所有银行预充电状态下发出的。
* 2 ：最低
t
RP
须发出MRS命令。
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REV 1.7 （ 2003年11月）
