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K4D263238E-GC
AC运行试验条件
(T
A
= 0 65℃）
参数
输入参考电压为CK （对于单端）
CK和CK信号的最大峰值摆动
CK信号最小转换速率
输入电平（V
IH
/V
IL
)
输入定时测量参考电平
输出定时测量参考电平
输出负载条件
价值
0.50*V
DDQ
1.5
1.0
V
REF
+0.4/V
REF
-0.4
V
REF
V
tt
见图1
128M GDDR SDRAM
单位
V
V
V / ns的
V
V
V
记
1
注1 ：如果是差分时钟（ CK和CK ） ，输入参考电压，时钟为CK和CK的交叉点
因此，时钟占空比应在CK和CK的交叉点进行测量。
V
tt
=0.5*V
DDQ
R
T
=50
产量
Z0=50
V
REF
=0.5*V
DDQ
C
负载
=30pF
（图1 ）输出负载电路
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的）
参数
输入电容（ CK，CK ）
输入电容（A
0
~A
11
， BA
0
BA
1
)
输入电容（ CKE ， CS ， RAS ， CAS ， WE）
数据& DQS输入/输出电容（ DQ
0
-DQ
31
)
输入电容（ DM0 DM3 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
OUT
C
IN4
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
5.0
4.0
4.0
6.5
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
pF
去耦电容线路指南
推荐的去耦电容加到电源线板。
参数
V之间的退耦电容
DD
和V
SS
V之间的退耦电容
DDQ
和V
SSQ
符号
C
DC1
C
DC2
价值
0.1 + 0.01
0.1 + 0.01
单位
uF
uF
注意：
1. V
DD
和V
DDQ
销彼此分开。
所有V
DD
引脚连接在芯片上。所有V
DDQ
引脚连接在芯片上。
2. V
SS
和V
SSQ
销彼此分开
所有V
SS
引脚连接在芯片上。所有V
SSQ
引脚连接在芯片上。
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REV 1.7 （ 2003年11月）
