K4N26323AE-GC
128M GDDR2 SDRAM
AC运行试验条件
(V
DD
= 2.5V ± 0.1V ，T
j
= 0至100
°
C)
参数
输入参考电压为CK （单）
CK和CK信号的最大峰值摆动
CK信号最小转换速率
输入电平（V
IH
/V
IL
)
输入定时测量参考电平
输出定时测量参考电平
输出负载条件
价值
0.50*V
DDQ
1.5
1.0
V
REF
+0.25/V
REF
-0.25
V
REF
1/2 V
DDQ
见图1
单位
V
V
V / ns的
V
V
V
记
产量
Z0=60
V
REF
=0.5*V
DDQ
C
负载
=10pF
（图1 ）输出负载电路
电容
(V
DD
= 2.5V ，T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的）
参数
输入电容（ CK，CK ）
输入电容（A
0
~A
10
， BA
0
BA
1
)
输入电容
（ CKE ， CS ， RAS ， CAS ， WE）
数据& DQS输入/输出电容（ DQ
0
-DQ
31
)
输入电容（ DM0 DM3 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
OUT
C
IN4
民
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
最大
5
5
5
5
5
单位
pF
pF
pF
pF
pF
- 34 -
修订版1.7 （ 2003年1月）
