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HYS72D[128/256][300/320/321/500][GBR/HR]-[5/6/7/7F]-B
录得双数据速率SDRAM模块
电气特性
表11
I
DD
规范-5
HYS72D128300GBR–5–B
HYS72D128321GBR–5–B
HYS72D256320GBR–5–B
单位
记
1)2)
编号&组织
1 GB
×72
1级
–5
典型值。
2680
2950
698
1184
986
860
1400
3040
3130
5290
696.2
7090
马克斯。
3040
3400
734
1292
1112
932
1544
3490
3580
6190
737.6
8260
1 GB
×72
2点
–5
典型值。
3436
3706
752
1724
1328
1076
2156
3796
3886
6046
748.4
7846
马克斯。
3940
4300
824
1940
1580
1220
2444
4390
4480
7090
831.2
9160
2 GB
×72
2点
–5
典型值。
3436
3706
752
1724
1328
1076
2156
3796
3886
6046
748.4
7846
马克斯。
3940
4300
824
1940
1580
1220
2444
4390
4480
7090
831.2
9160
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
3)
3)4)
5)
5)
5)
5)
5)
3)4)
3)
3)
5)
3)4)
符号
I
DD0
I
DD1
I
DD2P
I
DD2F
I
DD2Q
I
DD3P
I
DD3N
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5
I
DD6
I
DD7
只有1人） DRAM元件的电流
2 ）为最大值测试条件：
V
DD
= 2.7 V,
T
A
= 10 °C
3）模块
I
DDX
值被从该组件计算
I
DDX
数据表值：
m
×
I
DDX
[成分] +
n
×
I
DD3N
与[成分]
m
和
n
秩1和2的组件数量;
n=0
1级
模块
4 ） DQ I / O（
I
DDQ
）电流不纳入计算：模块
I
DD
值将被测量的不同，具体取决于
负载条件
5）模块
I
DDX
值从corrponent计算
I
DDX
数据表中数值为： （M +
n)
×
I
DDX
[成分]
数据表
19
修订版0.5 ， 2003-12
