K9K1G08R0B
K9K1G08B0B
K9K1G08U0B
FL灰内存
K9K1G08X0B
ADVANCE
DC和工作特性
（推荐工作条件另有说明。 ）
参数
符号
测试条件
民
顺序
读操作
当前
节目
抹去
待机电流
（ TTL）的
待机电流
（ CMOS）的
输入漏电流
输出漏电流
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
I
SB
1
I
SB
2
I
LI
I
LO
tRC=50ns
（ K9K1G08R0B ：为60ns ） ，CE = V
IL
I
OUT
=0mA
-
-
CE = V
IH
， WP = 0V / V
CC
CE = V
CC
-0.2 ， WP = 0V / V
CC
V
IN
= 0到Vcc （最大）
V
OUT
= 0到Vcc （最大）
I / O引脚
输入高电压
V
IH *
除了I / O引脚
输入低电压，所有
输入
输出高电压
水平
输出低电压
水平
V
IL *
-
K9K1G08R0B ：我
OH
-100A
V
OH
K9K1G08B0B ：我
OH
-100A
K9K1G08U0B ：我
OH
-400A
K9K1G08R0B ：我
OL
=100uA
V
OL
K9K1G08B0B ：我
OH
=100A
K9K1G08U0B ：我
OL
=2.1mA
K9K1G08R0B ： V
OL
=0.1V
输出低电流
（R / B）的
I
OL
（ R / B） K9K1G08B0B ： V
OL
=0.1V
K9K1G08U0B ： V
OL
=0.4V
记
: V
IL
可以下冲至-0.4V和V
IH
可过冲至V
CC
+ 0.4V为20 ns以下的持续时间
1.8V
典型值
10
10
10
-
20
-
-
-
-
-
最大
20
20
20
1
100
±20
±20
+0.3
V
CC
+0.3
0.4
民
-
-
-
-
-
-
-
-0.4
V
CC
-0.4
-0.3
V
CCQ
-0.4
2.7V
典型值
10
10
10
-
10
-
-
-
-
-
最大
20
20
20
1
50
±10
±10
V
CCQ
+0.3
V
CC
+0.3
0.5
民
-
-
-
-
-
-
-
2.0
2.0
-0.3
3.3V
典型值
15
15
15
-
20
-
-
-
-
-
最大
30
30
30
1
100
±20
±20
V
CCQ
+0.3
V
CC
+
0.3
0.8
单位
-
-
-
-
-
-
-
V
CCQ
-0.4
V
CC
-
0.4
-0.3
V
CCQ
-
0.1
mA
A
V
CCQ
V
CCQ
V
-
-
-
-
2.4
-
-
-
-
0.1
-
-
0.4
-
-
0.4
3
4
-
3
4
-
8
10
-
mA
有效的块
参数
有效的块数
符号
N
VB
民
8,052
典型值。
-
最大
8,192
单位
块
记
:
1.该装置可包括无效块时，第一运送。附加的无效块可以发展而被使用。有效块的数目是预先
sented与视为无效块的两种情况。无效块被定义为包含一个或多个损坏位元区块。不要试图访问这些
无效块编程和擦除。参考附件技术说明中的无效块的适当的管理。
2.第一框，它被放置在00h开始块地址，保证是一个有效的块，不需要纠错多达1K编程/擦除
周期。
3.最低1004块有效，保证每个连续的128MB显存空间。
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