SOT223 NPN硅平面介质
功率达林顿晶体管
第4期 - 2001年3月
特点
*
*
保证
FE
指定高达2A
快速开关
FZT605
FZT705
C
FZT605
E
PARTMARKING详细信息 -
互补类型 -
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
140
120
10
4
1.5
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态前进
电流传输比
符号最小值。 MAX 。单位条件。
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
140
120
10
0.01
10
0.1
10
1.0,
1.5
1.8
1.7
2K
5K
2K
100K
0.5K
150
90典型
15典型
0.5典型
1.6典型
兆赫
pF
pF
纳秒
纳秒
V
V
V
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=120V
V
CB
=120V,
T
AMB
=100°C
V
EB
=8V
V
CES
=120V
I
C
= 250毫安，我
B
=0.25mA*
I
C
= 1A ，我
B
=1mA*
I
C
= 1A ，我
B
=1mA*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 50mA时V
CE
=5V
I
C
= 500毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 2A ，V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=10V
f=20MHz
V
EB
= 500mV的， F = 1MHz的
VCB = 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V
I
B1
=I
B2
=0.5mA
A
A
A
A
V
V
V
V
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
f
t
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比2 ％
辣妹参数数据可应要求提供这些设备。
TBA
