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KM4132G271B
模式寄存器字段表,程序模式
寄存器编程与MRS
地址
功能
A
9
W.B.L
(注1 )
CMOS SGRAM
A
8
TM
A
7
A
6
A
5
CAS延迟
A
4
A
3
BT
A
2
A
1
突发长度
A
0
测试模式
A
8
0
0
1
1
A
7
0
1
0
1
写突发长度
A
9
0
1
长
BURST
单位
TYPE
模式寄存器设置
供应商
利用
只
A
6
0
0
0
0
1
1
1
1
CAS延迟
A
5
0
0
1
1
0
0
1
1
A
4
0
1
0
1
0
1
0
1
潜伏期
版权所有
-
2
3
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
A
3
0
1
突发类型
TYPE
顺序
交错
A
2
0
0
0
0
1
1
1
1
A
1
0
0
1
1
0
0
1
1
A
0
0
1
0
1
0
1
0
1
突发长度
BT=0
1
2
4
8
版权所有
版权所有
版权所有
256(Full)
BT=1
版权所有
版权所有
4
8
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
(注2 )
特殊模式寄存器编程SMRS
地址
功能
A
9
A
8
X
A
7
A
6
LC
A
5
LM
A
4
A
3
A
2
X
A
1
A
0
载色
A
6
0
1
功能
关闭
启用
负载面膜
A
5
0
1
功能
关闭
启用
(注3)
上电顺序
1.接通电源并启动时钟,试图维持CKE = "H" , DQM = "H"以及其他引脚的NOP条件的投入。
2.保持稳定的功率,稳定的时钟和NOP指令的输入条件为至少200us的。
3.发出预充电命令的设备的所有银行。
4.第2期以上的自动刷新命令。
5.发行模式寄存器设置命令初始化模式寄存器。
4 & 5可以被改变比照)序列。
该设备现在可以正常运行。
记
1.如果A
9
是在MRS周期高, "Burst读单位Write"功能将被启用。
2.列满爆( 256位),仅在突发类型的顺序模式。
3.如果LC和LM都高(1) ,掩模和彩色寄存器的数据将是未知的。
- 12
修订版2.4 ( 1998年5月)