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KM4132G271B
简化的真值表
3.自动刷新功能相同的DRAM CBR刷新。
无行预充电命令预充电自然而然被"Auto"意思。
只能在两个预充电状态下发出的自动/自刷新。
4. A
9
：银行选择地址。
如果"Low"在读， （块）写，行积极和预充电，银行A被选中。
如果"High"在读， （块）写，行积极和预充电，选择B银行。
如果一个
8
是"High"的行预充电，A
9
被忽略，两家银行被选中。
5.在row活跃周期决定的。
普通/块是否写入工作在每比特模式或不写。
对于银行写，在银行排主动，为B银行的写入，在B银行的行激活。
术语：每比特= I / O写面膜
（块）写每个位模式写=幪面（块）收件
CMOS SGRAM
6.在突发读取或写入自动预充电，新的读/ （块）写不能发出命令。
另一家银行的读/ （块）写命令可以在发出
t
RP
脉冲串的结束之后。
7.突发停止命令只适用于整页突发长度。
8. DQM采样在CLK的正边沿。
掩模数据输入在很CLK （收件DQM延迟为0）
但让Hi-Z状态数据输出2 CLK周期后。 （阅读DQM延迟2 ）
9.图形功能添加到SDRAM的原有特色。
如果DSF是依赖于低，图形功能被禁用，芯片作为一个8M的SDRAM与32 DQ
′s.
SGRAM VS SDRAM
功能
DSF
SGRAM
功能
L
太太
H
L
银行主动
同
每位写
关闭
银行主动
H
银行主动
同
每位写
启用
L
正常
写
写
H
块
写
太太
SMRS
如果DSF低， SGRAM的功能是相同的SDRAM的功能
.
SGRAM可以通过适当的DSF的控制可以作为统一存储器
--> SGRAM =显存+主内存
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修订版2.4 （ 1998年5月）
