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DDR SDRAM 256Mb的F-模（ X8 ， X16 ）无铅
B3
AA
（ DDR333@CL=2.5 ） ） （ DDR266@CL=2.0 ）
民
模式寄存器设置循环时间
DQ & DM设置时间DQS
DQ & DM保持时间DQS
控制&地址输入脉冲宽度
DQ & DM输入脉冲宽度
掉电退出时间
退出自刷新非读命令
退出自刷新，以读取命令
刷新间隔时间
输出DQS有效窗口
时钟半周期
数据保持倾斜因子
DQS写后记的时间
主动阅读与自动预充电
命令
Autoprecharge写恢复+
预充电时间
超过tMRD
TDS
TDH
tIPW
tDIPW
tPDEX
tXSNR
tXSRD
tREFI
tQH
THP
TQHS
tWPST
陷阱
0.4
18
（ tWR的/ TCK ）
+
（TRP / TCK ）
12
0.45
0.45
2.2
1.75
6
75
200
7.8
THP
-tQHS
tCLmin
或tCHmin
-
-
0.55
0.6
0.4
20
（ tWR的/ TCK ）
+
（TRP / TCK ）
DDR SDRAM
A2
(DDR266@CL=2.0)
民
15
0.5
0.5
2.2
1.75
7.5
75
200
7.8
参数
符号
B0
(DDR266@CL=2.5))
民
15
0.5
0.5
2.2
1.75
7.5
75
200
7.8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
us
记
最大
民
15
0.5
0.5
2.2
1.75
7.5
75
200
7.8
THP
-tQHS
tCLmin
或tCHmin
最大
最大
最大
J，K
J，K
8
8
4
11
10, 11
11
2
-
-
0.75
0.6
THP
-tQHS
tCLmin
或tCHmin
-
-
0.75
THP
-tQHS
tCLmin
或tCHmin
-
-
0.75
ns
ns
ns
TCK
0.4
20
（ tWR的/ TCK ）
+
（TRP / TCK ）
0.6
0.4
20
（ tWR的/ TCK ）
+
（TRP / TCK ）
0.6
tDAL
TCK
13
系统特点为DDR SDRAM
下面的规格参数在使用DDR333 ， DDR266 & DDR200的设备，以确保所需的系统
适当的系统性能。这些特性是系统仿真的目的和设计的保证。
表1 ：输入转换率的DQ ， DQS和DM
AC特性
参数
DQ / DM / DQS输入转换之间测量速度
VIH （DC）的VIL （DC）和VIL （DC）的VIH （DC）的
符号
DCSLEW
DDR333
民
0.5
最大
4.0
DDR266
民
0.5
最大
4.0
DDR200
民
0.5
最大
4.0
单位
V / ns的
笔记
A，M
表2 ：输入设定&保持时间的降容压摆率
输入转换率
0.5 V / ns的
0.4 V / ns的
0.3 V / ns的
TIS
0
+50
+100
TIH
0
0
0
单位
ps
ps
ps
笔记
i
i
i
表3 ：输入/输出设置&保持时间的降容压摆率
输入转换率
0.5 V / ns的
0.4 V / ns的
0.3 V / ns的
TDS
0
+75
+150
TDH
0
+75
+150
单位
ps
ps
ps
笔记
k
k
k
修订版1.2 2004年10月
