HIP6502B
特定网络阳离子之间的ATX的某些失衡
输出和HIP6502B的监管水平也有作为
一个导致能量从输入电容器轻快转移到
所提供的输出。在积极的转变
睡眠状态，这现象可能导致5VSB
低于POR电平电压跌落（通常为4.1V ）和
暂时禁用HIP6502B 。该溶液于一
潜在的问题，例如这是通过使用较大的输入
电容器具有较低的总合ESR 。
Q3, Q4, Q6
三N沟道MOSFET被用于切换3.3V
并且提供的ATX电源到3.3V 5V输入
纪念品
,
3.3V
双
/3.3V
SB
和5V
双
输出，而在激活状态（ S0，
S1 ）的状态。对这些选择的主要标准
晶体管的输出电压预算。最大
r
DS （ ON）
在最高结温允许可
表示为以下等式：
V
INMIN
–
V
outmin
r
DS
(
ON
）最大
= --------------------------------------------------
，其中，
-
I
OUTMAX
管的选择/注意事项
该HIP6502B通常需要一个P沟道（或双极性
PNP ） ，三个N沟道MOSFET和两个双极NPN
晶体管。
对于选择晶体管的所有所述一个重要的标准
线性稳压器/开关元件是封装选择
英法fi cient去除热量。耗散在一个线性功率
调节器/开关元件是：
P
线性
=
I
O
× (
V
IN
–
V
OUT
)
V
INMIN
- 最小输入电压
V
outmin
- 最小输出电压允许
I
OUTMAX
- 最大输出电流
可用于这些MOSFET的栅极偏压的顺序的
8V.
Q5
如果一个P沟道MOSFET被用于切换5VSB输出
在ATX电源到5V的
双
S3和S5期间输出
国家（如规定由EN5VDL状态） ，然后选择
该器件的标准是适当的电压预算。该
最大R
DS （ ON）
然而，必须与只取得
第五4.5V
GS
，所以一个逻辑电平的MOSFET需要选择。
如果一个PNP器件被选择为执行该功能，它必须
具有低的饱和电压，同时提供最大的
休眠电流，并具有电流增益SUF网络ciently高到
使用最小的驱动电流（典型值为20mA ）饱和。
选择一个包，散热器，它维护的交界处
温度低于该等级与最大期望
环境温度。
Q1
在2.5V的有源元件
纪念品
输出必须是一个
双极NPN能力进行最大活跃
存储电流和表现出的电流增益（H
fe
）最低
40 ，在这个电流和0.7V V
CE
.
Q2
作为睡眠状态旁路元件的NPN晶体管（ Q2 ）
在3.3V
双
输出必须有一个最小电流增益
100在1.5V V
CE
和500毫安我
CE
整个电路内
工作温度范围。
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