FDW252P
2000年6月
初步
FDW252P
P沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
概述
这种P沟道2.5V指定MOSFET是一种坚固
的门版本飞兆半导体先进
的PowerTrench工艺。它已被优化电源
管理应用程序与各种门的
驱动电压（ 2.5V - 12V ） 。
特点
-8.8 A， -20 V.
DS （ ON）
= 0.012
@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.018
@ V
GS
= –2.5 V
扩展V
GSS
范围（ ±12V ），用于电池
应用
低栅电荷
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
低调TSSOP -8封装
应用
负荷开关
电机驱动
直流/直流转换
电源管理
D
S
S
D
G
S
S
D
销1
5
6
7
8
4
3
2
1
TSSOP-8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功耗
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
-20
±
12
（注1 ）
单位
V
V
A
W
°C
-8.8
-50
1.3
0.6
-55到+150
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
96
208
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
252P
设备
FDW252P
带尺寸
13’’
胶带宽度
16mm
QUANTITY
3000台
2000
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDW252P版本B （ W）
