FDW252P
典型特征
5
8000
I
D
= -8.8A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
7000
6000
5000
4000
C
国际空间站
4
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
3
2
3000
2000
1000
C
OSS
C
RSS
0
10
20
30
40
50
1
0
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
0
3
6
9
12
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
100
R
DS （ ON）
极限
10
10s
1
V
GS
= -4.5V
单脉冲
R
θ
JA
= 208 C / W
T
A
= 25 C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
-V
DS
，漏源电压（V ）
0
o
o
图8.电容特性。
50
100
s
10ms
100ms
1s
40
单脉冲
R
θ
JA
= 208 ° C / W
T
A
= 25°C
30
DC
20
0.1
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
，时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
R
θ
JA
（吨） = R（T） + R
θ
JA
R
θ
JA
= 208 ° C / W
P（ PK）
t
1
t
2
单脉冲
0.01
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
0.001
0.0001
0.001
0.01
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDW252P版本B （ W）
