TR我路TECHNOL术，我NC 。 - TECHNI CAL信息
半桥式功率MOSFET时，需要一个晶体管处于关闭状态之间的死区时间
另一种是为了通过电流减少短路导通（断开前先） 。该
TC2001具有BBM0和BBM1是逻辑输入（连接到逻辑高或拉低到
逻辑低电平） ，根据控制输出晶体管的突破之前，进行时序
下面的表格。
BBM1
0
0
1
1
BBM0
0
1
0
1
延迟
120纳秒
80纳秒
40纳秒
NS 0
表1： BBM时滞
参与作出该设置的代价是，作为延迟减小，失真水平
改善但直通和功耗的增加。所有的典型曲线和性能
信息已经做完了采用40ns的BBM设置。 BBM的所需的实际量是
依赖于其他组件值和电路板布局，所选的值应
在实际的应用电路/电路板验证。还应当在最大核实
温度和功率条件下，因为直通输出的MOSFET可提高
在这些条件下，可能需要较高的BBM设定比在室温下进行。
推荐的MOSFET
下面的器件能够实现全面的性能，无论是在失真方面和
效率，对指定的负载阻抗和电压范围。
设备信息 - 推荐的MOSFET
产品型号
IRF520N
FQP13N10
STP14NF10
IRF530N
BUK7575-100A
STP24NF10
生产厂家
国际整流器器
飞兆半导体
意法半导体
国际整流器器
飞利浦半导体
意法半导体
BV
DSS
(V)
100
100
100
100
100
100
I
D
(A)
9.7
12.8
14
17
23
26
Q
g
（ NC ）
25(max.)
12
15.5
37(max.)
25
30
R
DS （ ON）
(
)
0.20 （最大）
0.142
0.16
0.09 （最大）
0.064
0.055
P
D
(W)
48
65
60
70
99
85
包
TO220
TO220
TO220
TO220
TO220
TO220
注：本设备列在提升电流能力不是为了推荐。
下面的信息表示从系统开发使用的TK2150定性数据
和相关的MOSFET。如最大供电电压和栅极建议
电阻值取决于PCB布局和元件的位置。栅极电阻
值进行选择，实现对从VPP电源的空闲电流18-80mA 。这个值
电源电流低功率效率和高频率的THD + N之间的良好折衷
性能。如示于下表2 ，增加了栅极电阻值会提高高
在怠速时的电流消耗为代价的频率THD + N性能。在BBM设置是为40ns
在所有的情况下。但是应当理解的是，不同的MOSFET将具有不同的特性
和将需要一些调整，以栅极电阻来达到同样的无功电流。
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TK2150 - 修订版1.0 / 12.02
