TR我路TECHNOL术，我NC 。 - TECHNI CAL信息
从上面使用的电阻值，实际的最小过压关断点数将是：
VPP
MIN_OV_TUR
VNN
MIN_OV_TUR
N_OFF
=
R
VPP1
×
I
VPPSENSE （ MIN_OV_TU RN_OFF ）
N_OFF
=
( R
VNN1
×
I
VNNSENSE （ MIN_OV_TU RN_OFF ）
)
其他三个跳闸点可以使用相同的公式，但在插入适当的计算
I
VppSense
（还是我
VnnSense
）的电流值。如前所述，可使用的电压范围的差
的最小过压之间关闭和最大下压关断为VPP的
和VNN提供。
VPP
范围
=
VPP
MIN_OV_TUR N_OFF
- VPP
MAX_UV_TUR N_OFF
VNN
范围
=
VNN
MIN_OV_TUR N_OFF
- VNN
MAX_UV_TUR N_OFF
VN10供应和开关电源控制器
VN10是由TP2150需要一个额外的电源电压。 VN10必须是10伏更
正比标称VNN 。 VN10必须跟踪VNN 。产生VN10供给需要
一些护理。
适当的方法来生成的电压VN10是使用10V-阳性电源电压
参照的VNN供给。该TP2150具有内部开关模式电源
控制器，其产生用于MOSFET驱动阶段所需的浮置电源
在TP2150 （标称10V与应用/测试显示的外部元件
电路） 。该SMPSO引脚（引脚60 ）提供了一个开关输出波形来驱动的门
P沟道MOSFET。 P沟道MOSFET的源极应连接到电源地
和MOSFET的漏极，应通过一个100UH电感绑在VN10 。该
示在数据资料的性能曲线，以及效率测量结果
完成使用内部VN10发生器。还在Tripath建议使用内部VN10
发电机来驱动TP2150 。图6示出了VN10发生器应该如何
连接。
TP2150
59
SW -FB
VN10
SWITCHMODE
电源
C
SW FB
0.1uF
R
SW FB
1k
60
SM PSO
VNN
R
PG
10
Q
P
L
SW
100uH
VN10
D
SW
B1100DICT
C
SW
0.1uF
+
C
SW
100uF
VNN
图6 ： VN10发电机
在某些情况下，虽然，一个设计人员可能希望使用一个外部VN10发生器。该
规范的电气VN10静态电流（典型200毫安， 250毫安最大）
特性一节指出的，当外部浮动电源是目前需要的量
使用。如果不使用内部VN10发生器，还在Tripath建议短路SMPSO （销60 ），以
VNN （引脚42）和SW- FB （引脚59 ）到VNN （引脚42 ） 。
一个显而易见的方法来生成VN10供给电压是使用一个负IC调整到
保护地降下来到10V （相对于VNN ） 。由于负调节这种方法是行不通的
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TK2150 - 修订版1.0 / 12.02
