IRF430
典型性能曲线
1.25
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
C，电容（pF ）
1.15
1600
除非另有规定编
（续）
2000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
1.05
1200
0.95
800
C
国际空间站
0.85
400
C
OSS
C
RSS
0.75
-40
0
40
80
120
160
0
1
T
J
，结温（
o
C)
40
V
DS
，漏源极电压（ V）
10
20
30
50
图10.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
图11.电容VS漏源极电压
5
为80μs脉冲测试
g
fs
，跨导（ S）
4
I
SD
，源极到漏极电流（A）
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
100
为80μs脉冲测试
3
10
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
2
1
0
0
1
2
3
I
D
，漏电流（ A）
4
5
1
0
1
2
3
4
V
SD
，源极到漏极电压（ V）
图12.跨VS漏极电流
图13.源极到漏极二极管电压
20
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 4.5A
15
V
DS
= 100V
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
10
5
0
0
8
16
24
32
40
Q
G（ TOT ）
，总栅极电荷（ NC）
图14.栅极至源极电压Vs栅极电荷
5
