IRF430
数据表
1999年3月
网络文件编号
1572.4
4.5A ， 500V ， 1.500 Ohm的N通道
功率MOSFET
这种N沟道增强型硅栅功率科幻场
场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET设计，
经过测试，并保证能承受一个特定的编辑水平
能在操作中的击穿雪崩模式。所有
这些功率MOSFET设计用于应用程序，例如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA17415 。
特点
4.5A ， 500V
r
DS （ ON）
= 1.500
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
相关文献
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订购信息
产品型号
IRF430
包
TO-204AA
BRAND
IRF430
符号
D
注：订货时，使用整个零件编号。
G
S
包装
JEDEC TO- 204AA
漏
（法兰）
SOURCE （PIN 2 ）
GATE （引脚1）
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
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版权
Intersil公司1999
