半导体技术资料
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由MRF393 / D
射频线
NPN硅推挽
RF功率晶体管
。 。 。主要是为宽带大信号输出和驱动放大器设计
阶段，在30至500兆赫的频率范围。
规定的28伏， 500 MHz的特点 -
输出功率= 100瓦
典型增益= 9.5分贝（ AB类） ; 8.5分贝（ C类）
效率= 55 ％ （典型值）
内置的输入阻抗匹配网络的宽带运营
推挽式结构，能够减小甚至多级谐波
黄金金属化系统的高可靠性
100 ％测试负载不匹配
MRF393
100瓦， 30至500兆赫
控制的“ Q”
宽带PUSH - PULL
RF功率晶体管
NPN硅
2
6
5, 8
7
3
CASE 744A -01 ，风格1
该MRF393是两个晶体管在单个封装中有独立的基极和集电极引线
和常见的发射器。这种安排为设计者提供了一个节省空间
装置，其能够操作以推挽式结构。
1, 4
PUSH - PULL晶体管
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TC = 25 ° C（ 1 ）
减免上述25℃
存储温度范围
结温
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TSTG
TJ
价值
30
60
4.0
16
270
1.54
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.65
单位
° C / W
注意：
1.该设备是专为RF操作。总的器件损耗的评价仅适用于当所述设备被作为RF推挽操作
放大器。
第七版
1
