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MRF393
射频线控制的“ Q”宽带功率晶体管
100W , 30到500MHz , 28V
主要是为宽带大信号输出和驱动放大器设计
阶段,在30至500兆赫的频率范围。
M / A- COM产品
发布 - 启示录07.07
产品图片
指定的28 V , 500 MHz的特点 -
输出功率= 100瓦
典型增益= 9.5分贝( AB类) ; 8.5分贝( C类)
效率= 55 % (典型值)。
内置的输入阻抗匹配网络的宽带运营
推挽式结构,能够减小甚至多级谐波
黄金金属化系统的高可靠性
100 %测试负载不匹配
CASE 744A -01 ,风格1
该MRF393是两个晶体管在单个封装中有独立的基极和集电极
导线和普通发射器。这种安排为设计者提供了一个空间
保存装置,其能够操作以推挽式结构。
PUSH - PULL晶体管
1
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
MRF393
射频线控制的“ Q”宽带功率晶体管
100W , 30到500MHz , 28V
M / A- COM产品
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2
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射频线控制的“ Q”宽带功率晶体管
100W , 30到500MHz , 28V
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射频线控制的“ Q”宽带功率晶体管
100W , 30到500MHz , 28V
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射频线控制的“ Q”宽带功率晶体管
100W , 30到500MHz , 28V
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半导体技术资料
订购此文件
由MRF393 / D
射频线
NPN硅推挽
RF功率晶体管
。 。 。主要是为宽带大信号输出和驱动放大器设计
阶段,在30至500兆赫的频率范围。
规定的28伏, 500 MHz的特点 -
输出功率= 100瓦
典型增益= 9.5分贝( AB类) ; 8.5分贝( C类)
效率= 55 % (典型值)
内置的输入阻抗匹配网络的宽带运营
推挽式结构,能够减小甚至多级谐波
黄金金属化系统的高可靠性
100 %测试负载不匹配
MRF393
100瓦, 30至500兆赫
控制的“ Q”
宽带PUSH - PULL
RF功率晶体管
NPN硅
2
6
5, 8
7
3
CASE 744A -01 ,风格1
该MRF393是两个晶体管在单个封装中有独立的基极和集电极引线
和常见的发射器。这种安排为设计者提供了一个节省空间
装置,其能够操作以推挽式结构。
1, 4
PUSH - PULL晶体管
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TC = 25 ° C( 1 )
减免上述25℃
存储温度范围
结温
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TSTG
TJ
价值
30
60
4.0
16
270
1.54
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W / ℃,
°C
°C
热特性
特征
热阻,结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.65
单位
° C / W
注意:
1.该设备是专为RF操作。总的器件损耗的评价仅适用于当所述设备被作为RF推挽操作
放大器。
第七版
1
电气特性
( TC = 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
(1)
集电极 - 发射极击穿电压( IC = 50 MADC , IB = 0 )
集电极 - 发射极击穿电压( IC = 50 MADC , VBE = 0 )
发射极 - 基极击穿电压( IE = 5.0 MADC , IC = 0 )
集电极截止电流( VCB = 30伏直流电, IE = 0 )
V( BR ) CEO
V( BR ) CES
V( BR ) EBO
ICBO
30
60
4.0
5.0
VDC
VDC
VDC
MADC
基本特征
(1)
直流电流增益( IC = 1.0 ADC , VCE = 5.0 V直流)
的hFE
20
100
动态特性
(1)
输出电容( VCB = 28伏直流电, IE = 0 , F = 1.0兆赫)
COB
40
75
95
pF
功能测试
(2)
见图1
共发射极放大器的功率增益
( VCC = 28伏直流电,噘= 100 W, F = 500兆赫)
收藏家EF网络效率
( VCC = 28伏直流电,噘= 100 W, F = 500兆赫)
负载不匹配
( VCC = 28伏直流电,噘= 100 W, F = 500 MHz时,
驻波比= 30 :1,所有的相位角)
注意事项:
1.分别测量每个晶体管的芯片。
2.两个晶体管芯片在推挽放大器运行。
GPE
η
ψ
在输出功率不降低
7.5
50
8.5
55
dB
%
C10
C9
C11
L5
C12
+ 28 V
B1
C1
Z1
C3
C2
L2
C4
Z2
L1
Z3
L3
C7
Z5
C5
Z4
D.U.T.
L4
C14
C13
Z6
C8
C6
B2
L6
C15
C16
C1,C2, C7,C8 - 240 pF的100密耳片第
C3 - 15 pF的100万片帽
C4 - 24 pF的100万片帽
C5 - 33 pF的100万片帽
C6 - 12 pF的100万片帽
C9 , C13 - 1000 pF的100万片帽
C10 , C14 - 680 pF的馈通帽
C11, C15 — 0.1
F
陶瓷盘帽
C12, C16 — 50
F
50 V
L1, L2 — 0.15
H
模呛铁氧体磁珠
L3 , L4 - 2-1 / 2打开# 20 AWG 0.200 “ ID
L5 , L6 - 3-1 / 2打开# 18 AWG 0.200 “ ID
B1 , B2 - 巴伦50
半刚性同轴电缆, 86万OD , 4 “长
Z1 , Z2 - 850万长× 125万W.微带
Z3 , Z4 - 200万长× 125万W.微带
Z5 , Z6 - 800万长× 125万W.微带
板材料 - 0.0325 “特氟龙玻璃纤维,
ε
r = 2.56,
板材料 -
1盎司铜包两侧。
图1. 500 MHz的测试夹具
第七版
2
C类
80
F = 100 MHz的
噘嘴,输出功率(瓦)
140
120
500兆赫
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
引脚,输入功率(瓦)
VCC = 28 V
16
18
20
225兆赫
400兆赫
噘嘴,输出功率(瓦)
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
12
14
引脚,输入功率(瓦)
VCC = 13.5 V
16
18
20
500兆赫
F = 100 MHz的
225兆赫
400兆赫
图2.输出功率与输入功率
图3.输出功率与输入功率
C类
120
PIN = 10瓦
噘嘴,输出功率(瓦)
100
噘嘴,输出功率(瓦)
8W
100
12 W
80
8W
60
120
PIN = 16 W
80
6W
60
40
F = 225 MHz的
20
12
16
20
24
VCC ,电源电压(伏)
28
40
F = 500 MHz的
20
12
16
20
24
VCC ,电源电压(伏)
28
图4.输出功率与电源电压
图5.输出功率与电源电压
2
4
F = 100 MHz的
2
ZOL * =共轭的最佳负载阻抗的
ZOL * =
入该装置的输出工作在
2
ZOL * =
给定的输出功率,电压和频率。
4
6
140
噘嘴,输出功率(瓦)
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
引脚,输入功率(瓦)
F = 500 MHz的
VCC = 28 V
ICQ = 200毫安
16
18
20
225
400
4
500
500
400
8
ZOL *
225
6
VCC = 28 V ,噘= 100瓦
F兆赫
100
225
400
500
0.85 + j0
0.58 + j2.6
3.00 + j5.9
4.80 + j3.0
ZOL *
7.8 – j5.6
5.0 – j3.2
3.2 – j0.6
2.9 + j1.2
ZO = 20
F = 100 MHz的
8
注:寻& ZOL *给出从基地台到基站
注意:
和集电极 - 集电极分别。
图6系列等效输入/输出阻抗
第七版
图7. AB类输出功率与
输入功率
3
包装尺寸
U
Q
0.76 (0.030)
M
4 PL
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
R
U
V
MILLIMETERS
最大
22.60
23.11
9.52
10.03
6.65
7.16
1.60
1.95
2.94
3.40
2.87
3.22
16.51 BSC
4.01
4.36
0.07
0.15
4.34
4.90
12.45
12.95
45
_
1.051
11.02
3.04
3.35
9.90
10.41
1.02
1.27
0.64
0.89
英寸
最大
0.890
0.910
0.375
0.395
0.262
0.282
0.063
0.077
0.116
0.134
0.113
0.127
0.650 BSC
0.158
0.172
0.003
0.006
0.171
0.193
0.490
0.510
45
_
0.414
0.434
0.120
0.132
0.390
0.410
0.040
0.050
0.025
0.035
M
B
M
1
2
3
4
A
M
K
R
–B–
5
6
7
8
K
D
4 PL
F
V
L
G
–A–
J
N
4 PL
2 PL
H
C
E
–T–
座位
飞机
风格1 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
发射器( COMMON )
集热器
集热器
发射器( COMMON )
发射器( COMMON )
BASE
BASE
发射器( COMMON )
CASE 744A -01
版本C
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
n
北美:
电话: ( 800 ) 366-2266 ,传真:( 800 ) 618-8883
n
亚洲/太平洋网络C:
电话: + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲:
电话: +44 ( 1344 ) 869 595传真:+ 44 ( 1344 ) 300 020
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
第七版
4
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MRF393 / D
射频线
NPN硅推挽
RF功率晶体管
。 。 。主要是为宽带大信号输出和驱动放大器设计
阶段,在30至500兆赫的频率范围。
规定的28伏, 500 MHz的特点 -
输出功率= 100瓦
典型增益= 9.5分贝( AB类) ; 8.5分贝( C类)
效率= 55 % (典型值)
内置的输入阻抗匹配网络的宽带运营
推挽式结构,能够减小甚至多级谐波
黄金金属化系统的高可靠性
100 %测试负载不匹配
电路板可摄影大师经要求
在亚利桑那州凤凰城接触RF战术营销。
2
6
5, 8
7
3
1, 4
MRF393
100瓦, 30至500兆赫
控制的“ Q”
宽带PUSH - PULL
RF功率晶体管
NPN硅
CASE 744A -01 ,风格1
该MRF393是两个晶体管在单个封装中有独立的基极和集电极引线
和常见的发射器。这种安排为设计者提供了一个节省空间
装置,其能够操作以推挽式结构。
PUSH - PULL晶体管
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TC = 25 ° C( 1 )
减免上述25℃
存储温度范围
结温
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TSTG
TJ
价值
30
60
4.0
16
270
1.54
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W / ℃,
°C
°C
热特性
特征
热阻,结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.65
单位
° C / W
注意:
1.该设备是专为RF操作。总的器件损耗的评价仅适用于当所述设备被作为RF推挽操作
放大器。
第七版
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉1997年公司
MRF393
1
电气特性
( TC = 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
(1)
集电极 - 发射极击穿电压( IC = 50 MADC , IB = 0 )
集电极 - 发射极击穿电压( IC = 50 MADC , VBE = 0 )
发射极 - 基极击穿电压( IE = 5.0 MADC , IC = 0 )
集电极截止电流( VCB = 30伏直流电, IE = 0 )
V( BR ) CEO
V( BR ) CES
V( BR ) EBO
ICBO
30
60
4.0
5.0
VDC
VDC
VDC
MADC
基本特征
(1)
直流电流增益( IC = 1.0 ADC , VCE = 5.0 V直流)
的hFE
20
100
动态特性
(1)
输出电容( VCB = 28伏直流电, IE = 0 , F = 1.0兆赫)
COB
40
75
95
pF
功能测试
(2)
见图1
共发射极放大器的功率增益
( VCC = 28伏直流电,噘= 100 W, F = 500兆赫)
收藏家EF网络效率
( VCC = 28伏直流电,噘= 100 W, F = 500兆赫)
负载不匹配
( VCC = 28伏直流电,噘= 100 W, F = 500 MHz时,
驻波比= 30 :1,所有的相位角)
注意事项:
1.分别测量每个晶体管的芯片。
2.两个晶体管芯片在推挽放大器运行。
GPE
η
ψ
在输出功率不降低
7.5
50
8.5
55
dB
%
C10
C9
C11
L5
C12
+ 28 V
B1
C1
Z1
C3
C2
L2
C4
Z2
L1
Z3
L3
C7
Z5
C5
Z4
D.U.T.
L4
C14
C13
Z6
C8
C6
B2
L6
C15
C16
C1,C2, C7,C8 - 240 pF的100密耳片第
C3 - 15 pF的100万片帽
C4 - 24 pF的100万片帽
C5 - 33 pF的100万片帽
C6 - 12 pF的100万片帽
C9 , C13 - 1000 pF的100万片帽
C10 , C14 - 680 pF的馈通帽
C11, C15 — 0.1
F
陶瓷盘帽
C12, C16 — 50
F
50 V
L1, L2 — 0.15
H
模呛铁氧体磁珠
L3 , L4 - 2-1 / 2打开# 20 AWG 0.200 “ ID
L5 , L6 - 3-1 / 2打开# 18 AWG 0.200 “ ID
B1 , B2 - 巴伦50
半刚性同轴电缆, 86万OD , 4 “长
Z1 , Z2 - 850万长× 125万W.微带
Z3 , Z4 - 200万长× 125万W.微带
Z5 , Z6 - 800万长× 125万W.微带
板材料 - 0.0325 “特氟龙玻璃纤维,
ε
r = 2.56,
板材料 -
1盎司铜包两侧。
图1. 500 MHz的测试夹具
MRF393
2
摩托罗拉RF设备数据
C类
80
F = 100 MHz的
噘嘴,输出功率(瓦)
140
120
500兆赫
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
引脚,输入功率(瓦)
VCC = 28 V
16
18
20
225兆赫
400兆赫
噘嘴,输出功率(瓦)
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
12
14
引脚,输入功率(瓦)
VCC = 13.5 V
16
18
20
500兆赫
F = 100 MHz的
225兆赫
400兆赫
图2.输出功率与输入功率
图3.输出功率与输入功率
C类
120
PIN = 10瓦
噘嘴,输出功率(瓦)
100
噘嘴,输出功率(瓦)
8W
100
12 W
80
8W
60
120
PIN = 16 W
80
6W
60
40
F = 225 MHz的
20
12
16
20
24
VCC ,电源电压(伏)
28
40
F = 500 MHz的
20
12
16
20
24
VCC ,电源电压(伏)
28
图4.输出功率与电源电压
图5.输出功率与电源电压
2
4
F = 100 MHz的
2
ZOL * =共轭的最佳负载阻抗的
ZOL * =
入该装置的输出工作在
2
ZOL * =
给定的输出功率,电压和频率。
4
6
140
噘嘴,输出功率(瓦)
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
引脚,输入功率(瓦)
F = 500 MHz的
VCC = 28 V
ICQ = 200毫安
16
18
20
225
400
4
500
500
400
8
ZOL *
225
6
VCC = 28 V ,噘= 100瓦
F兆赫
100
225
400
500
0.85 + j0
0.58 + j2.6
3.00 + j5.9
4.80 + j3.0
ZOL *
7.8 – j5.6
5.0 – j3.2
3.2 – j0.6
2.9 + j1.2
ZO = 20
F = 100 MHz的
8
注:寻& ZOL *给出从基地台到基站
注意:
和集电极 - 集电极分别。
图6系列等效输入/输出阻抗
图7. AB类输出功率与
输入功率
摩托罗拉RF设备数据
MRF393
3
包装尺寸
U
Q
0.76 (0.030)
M
4 PL
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
R
U
V
MILLIMETERS
最大
22.60
23.11
9.52
10.03
6.65
7.16
1.60
1.95
2.94
3.40
2.87
3.22
16.51 BSC
4.01
4.36
0.07
0.15
4.34
4.90
12.45
12.95
45
_
1.051
11.02
3.04
3.35
9.90
10.41
1.02
1.27
0.64
0.89
英寸
最大
0.890
0.910
0.375
0.395
0.262
0.282
0.063
0.077
0.116
0.134
0.113
0.127
0.650 BSC
0.158
0.172
0.003
0.006
0.171
0.193
0.490
0.510
45
_
0.414
0.434
0.120
0.132
0.390
0.410
0.040
0.050
0.025
0.035
M
B
M
1
2
3
4
A
M
K
R
–B–
5
6
7
8
K
D
4 PL
F
V
L
G
–A–
J
N
4 PL
2 PL
H
C
E
–T–
座位
飞机
风格1 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
发射器( COMMON )
集热器
集热器
发射器( COMMON )
发射器( COMMON )
BASE
BASE
发射器( COMMON )
CASE 744A -01
版本C
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应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
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摩托罗拉
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日本:日本摩托罗拉有限公司; 4-32-1 ,西五反田,品川区,东京141 ,日本。
亚太地区:摩托罗拉半导体H.K.有限公司;硅港中心2号大景街,大埔工业村,大埔,新界,香港。
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4
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