SHARIP
LHF80V07
2
LH28F8OOBVB-TTL90
8M - BIT （ 1Mbit的X 8/5 12Kbit ×16 ）
Smart3快闪记忆体
n
Smart3技术
- 2.7V - 3.6V的Vcc
- 2.7V - 3.6V或11.4V - 12.6V Vpp的
X8或x 16的操作
●增强型数据保护功能
- 绝对保护与Vpp的= GND
- 块擦除和字/字节写入锁定
电源转换期间
- 引导街区保护与WP ＃ = VIL
自动字/字节写入和块擦除
- 命令的用户界面
- 状态寄存器
n低电源管理
- 深度掉电模式
- 自动节能模式跌幅
ICC在静态模式
n
SRAM兼容
写接口
否用户可配置
N高，性能访问时间
- 为90ns （ 2.7V - 3.6V ）
■工作温度
- 0 ° C至+ 70 “C
优化阵列无阻塞架构
- 两个4K字引导块
- 六4K字的参数块
- 十五32K字的主块
- 前引导位置
n扩展循环能力
- 100000块擦除周期
●增强型自动暂停选项
- 字/字节写暂停阅读
- 块擦除挂起到字/字节写
- 块擦除挂起阅读
芯片尺寸封装
- 48球CSP
ETOXTM *
非易失性闪存技术
的CMOS工艺（ P型硅衬底）
N不设计或评为抗辐射
非易失性的，读/写
和V ,, = 2.7V - 3.6V
SHARP的LH28F800BVB - TTL90
闪速存储器与Smart3技术是一种高密度，低成本，
对于一个宽范围的应用的存储解决方案。 LH28F800BVB - TTL90
可以在V操作,, = 2.7V - 3.6V
它的低电压工作能力，实现了电池寿命和西服的手机应用程序。
它的引导。参数及主要封闭的架构，灵活的电压和延长循环提供了高度灵活的
： omponent适合于便携式终端和个人计算机。其增强的暂停功能，提供了一个理想的
解码+数据存储应用。为安全的代码存储应用，如网络，其中的代码是任
lirectly执行了闪光或下载到DRAM中， LH28F8OOBVB - TTL90
提供两个层次的保护：绝对的
lrotection与V ,,在GND ，选择硬件引导块锁定。这些替代方案为设计人员提供的最终控制自己
： ODE的安全需求。
IHE LH28F800BVB - TTL90
制造夏普的0.35微米ETOXTM *
lackage ： 48球CSP适用于主板受限的应用。
“ ETOX是Intel Corporation的注册商标
工艺技术。它进来芯片尺寸
修订版1.1
