【PRODUCTSPECIFICATIONS集成电路集团LH28F800BVB-TTL908M （ 1】,IC型号LHF80V07,LHF80V07 PDF资料,LHF80V07经销商,ic,电子元器件-51电子网

RODUCT

PECIFICATIONS

集成电路集团

LH28F800BVB-TTL90

8M （ 1M × 8 / 512K × 16 ）

（型号： LHF80V07 ）

FL灰内存

规范编号： EL114067

发行日期： 1999年8月27日

SHARP

LHFSOVO7

@Handle本文精心为它包含的材料受国际版权法保护。

禁止任何复制，全本材料的或部分未经明确的书面

该公司的许可。

l当使用本文中所涵盖的产品，请注意这里写的条件和

注意事项以下段落所述。在任何情况下，本公司对任何法律责任

从失败造成的损失要严格遵守这些条件和注意事项。

（ 1 ）所涉及的产品中，设计和制造用于下列应用

区。当使用本文中所涵盖的第（ 2 ）所列设备的产品，

甚至对于以下应用领域，一定要遵守的注意事项，

第（ 2 ）。不要使用产品的第（ 3 ）所列设备。

*办公电子设备

*仪表和测量设备

*机床

*视听设备

*家电

·通讯设备比干线等

（2）利用覆盖这里为以下设备的产品的那些考虑这

要求高reliabilitv ，应先联系销售代表的公司，然后

接受责任纳入到设计故障安全操作，冗余和

其他适当的措施，以确保在设备和的可靠性和安全性

整个系统。

*对飞机的控制和安全装置，

交通运输设备

*计算机主机

*交通控制系统

升燃气泄漏探测器和自动切断装置

*救援及安全设备

*其他的安全设备和安全设备等。

火车，汽车，

及其他

（ 3 ）不要使用本文中所涵盖的产品用于以下设备它要求

极高的性能的功能性，可靠性，或准确性方面。

*航空航天设备

升通讯设备干线

*控制设备，核电行业

升医疗器械与生命支持等。

（ 4 ）请直接有关的解释所有的疑问和意见

段落销售代表的公司。

上述三个的

@Please直接有关的所有本文中涉及到销售代表的产品查询

公司。

修订版1.1

SliARP

LHF80V07

页面

1引言..

...........................................................

5设计考虑

......................................

1.本人特点.............................................. ..........................

1.2产品概述............................................. .. .........

2原则

操作的..

5.1三线输出控制.......................................

5.2 RY / BY ＃和块擦除和字/字节写

投票.. ............................................... .....................

..................................... .7

5.3电源去耦........................................ 20

5.4 V ,,跟踪印刷电路板........................ 20

5.5 V ,, 。 V ,,, RP ＃转换.. ..................................... 21

5.6上电/下

保护.. .................................... 2 1

2.1数据保护............................................. .. ..............

3总线操作

...........................................................

3.1阅读.. .............................................. .............................

3.2输出禁止............................................. .. ..............

3.3待机................................................ .........................

3.4深度掉电..

.....................................................

5.7功耗............................................. .. ......

6电气

特定网络阳离子

............................... 22

6.1绝对最大额定值..................................... 22

6.2工作条件............................................... 。

6.2.1电容.. ............................................ ...........

6.2.3直流特性............................................. 。

3.5读取识别码操作.. ............................... 0.9

3.6写... ............................................. 。 ............................ 0.9

4 COMMAND

定义..

................ .:......................... 9

6.2.2 AC输入/输出测试条件....................... 23

6.2.4交流特性 - 只读操作....... 26

6.2.5交流特性 - 写操作............... 29

6.2.6替代CE＃ -Controlled

6.2.8块擦除和字/字节

7包

和包装

写.. ..................... 3 1

写入性能34

......... 35

6.2.7复位操作............................................. ....

4.1读阵列命令.............................................. ..

4.2读取识别码命令............................... 12

4.3读状态寄存器命令.. ............................... 12

4.4清除状态寄存器命令................................. 12

4.5块擦除命令.. ............................................ 。

4.6字/字节写命令.. ..................................... 13

4.7块擦除挂起命令................................ 13

4.8字/字节写入暂停命令.. ...................... 14

4.9注意事项暂停.. ....................................... 14

4.10块锁定............................................. .. ...........

4.10.1 V,,=V,,

4.10.2 WP ＃ = V ,,

4.10.3 WP ＃ = V ,,

为完整的保护.. .................... 14

对于块锁定.. ............................ 14

座解锁.. ........................ 14

特定网络阳离子

修订版1.1

SHARIP

LHF80V07

LH28F8OOBVB-TTL90

8M - BIT （ 1Mbit的X 8/5 12Kbit ×16 ）

Smart3快闪记忆体

Smart3技术

- 2.7V - 3.6V的Vcc

- 2.7V - 3.6V或11.4V - 12.6V Vpp的

X8或x 16的操作

●增强型数据保护功能

- 绝对保护与Vpp的= GND

- 块擦除和字/字节写入锁定

电源转换期间

- 引导街区保护与WP ＃ = VIL

自动字/字节写入和块擦除

- 命令的用户界面

- 状态寄存器

n低电源管理

- 深度掉电模式

- 自动节能模式跌幅

ICC在静态模式

SRAM兼容

写接口

否用户可配置

N高，性能访问时间

- 为90ns （ 2.7V - 3.6V ）

■工作温度

- 0 ° C至+ 70 “C

优化阵列无阻塞架构

- 两个4K字引导块

- 六4K字的参数块

- 十五32K字的主块

- 前引导位置

n扩展循环能力

- 100000块擦除周期

●增强型自动暂停选项

- 字/字节写暂停阅读

- 块擦除挂起到字/字节写

- 块擦除挂起阅读

芯片尺寸封装

- 48球CSP

ETOXTM *

非易失性闪存技术

的CMOS工艺（ P型硅衬底）

N不设计或评为抗辐射

非易失性的，读/写

和V ,, = 2.7V - 3.6V

SHARP的LH28F800BVB - TTL90

闪速存储器与Smart3技术是一种高密度，低成本，

对于一个宽范围的应用的存储解决方案。 LH28F800BVB - TTL90

可以在V操作,, = 2.7V - 3.6V

它的低电压工作能力，实现了电池寿命和西服的手机应用程序。

它的引导。参数及主要封闭的架构，灵活的电压和延长循环提供了高度灵活的

： omponent适合于便携式终端和个人计算机。其增强的暂停功能，提供了一个理想的

解码+数据存储应用。为安全的代码存储应用，如网络，其中的代码是任

lirectly执行了闪光或下载到DRAM中， LH28F8OOBVB - TTL90

提供两个层次的保护：绝对的

lrotection与V ,,在GND ，选择硬件引导块锁定。这些替代方案为设计人员提供的最终控制自己

： ODE的安全需求。

IHE LH28F800BVB - TTL90

制造夏普的0.35微米ETOXTM *

lackage ： 48球CSP适用于主板受限的应用。

“ ETOX是Intel Corporation的注册商标

工艺技术。它进来芯片尺寸

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SHARP

LHF8OVO7

1引言

该数据表包含LH28F800BVB ， TI'L90

规格。部1提供的闪速存储器

概述。部分2,3,4和5描述了内存

组织和功能。第6节涵盖了电气

特定连接的阳离子。

V,,=12V

最大化块擦除和字/字节写

性能。除了灵活的擦除和编程

电压。专用V ,,脚给人完整的数据

保护时VPplVPPLK 。

表1. V ,,

和V ,,电压组合，由参团

Smart3 Technoloav

V ,,电压

V ,, Voitage

2.7V-3.6V

1 2.7V-3.6V, 11.4V-12.6V

LZJ

1.1特性

主要增强功能

快闪记忆体是：

* Smart3技术

*增强的挂起功能

*开机座建筑

请注意以下

重要的差异：

LH28F8OOBVB - TTL90的

Smart3

内部V ,,和V ,,检测电路自动

配置该设备优化的读取和写入

操作。

A命令的用户界面（ CUI）作为界面

系统处理器和内部操作之间

装置。写到崔有效的命令序列

启动设备的自动化。内部写状态

机（ WSM ）自动执行的算法

和必要的块擦除和字/字节写时序

操作。

块擦除操作擦除设备的32K-之一

字块中0.51s （ 2.7V - 3.6VV通常,,,

11.4V - 12.6VV ,, ）， 4K字块通常在0.3 1S

（ 2.7V - 3.6VV ,,, 11.4V - 12.6VV ,,）独立于其他的

块。每个块可独立擦除100000

次。块擦除挂起模式允许系统软件

暂停块擦除从任何其它读取或写入数据

块。

写作

内存中的数据是字/字节进行

该设备的32K字块通常为增量

在12.6 ~~ （ 2.7V - 3.6VV ,,, 11.4V - 12.6VV ,, ）， 4K-

字块通常在24.5 （ 2.7V - 3.6VV ,,,

11.4V-12.6V

V,,).

字/字节写操作挂起模式

使系统能够读取的数据或从任何执行代码

其他闪存阵列的位置。

VPPLK已经降低

以1.5V至2.7V支持， 3.6V

块擦除和字/字节写操作。在V ,,

电压转换为GND推荐

是读操作过程中切换V ,,关闭的设计。

*要Smart3的技术优势，使V ,,

和V ,,连接到2.7V - 3.6V 。

1.2产品概述

该LH28F800BVB - TTL90

是一个高性能的8M位

组织为莫耳字节的8个位或Smart3闪存

16位512K字。在LM-字节/ 512K字

的数据是

uranged两个8K字节/ 4K字

引导块，六SK-Ⅱ

Jytel4K字参数块和15 64K字节/ 32K-

主字块，可单独擦除IN-

tystem 。存储器映射是如图3所示。

Smart3技术提供了V ,,和V的选择,,

： ombinations ，如表1所示，满足系统

xrformance和电源的期望。 V ,,在2.7V - 3.6V

： liminates需要一个单独的12V转换器，而

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