SHARI =
LHFlGKAl
1引言
这
数据表
包含
LH28F160S3NS-LlO
规格。部1提供的闪速存储器
概述。第2， 3 ，4和5描述的
记忆的组织和功能。第6节
涵盖电气规格。
3
写暂停模式使系统能够读取的数据的
或从任何其它闪存阵列执行代码
位置。
个别块锁定使用位的组合
和WP ＃ ， 32块锁定位，锁定和
解锁块。块锁定位闸块擦除，全
芯片擦除和（多）字/字节写操作。
块锁定位配置操作（设置座
锁定位和清除块锁定位指令）集
和清除块锁定位。
状态寄存器指示时， WSM的块
擦除，整片擦除， （多）字/字节写入或块
锁位配置操作完成。
在STS输出给WSM的附加指标
通过同时提供硬件的状态信号活动
（与软件
轮询）和状态屏蔽
（中断为背景的块擦除掩蔽，为
例子）。使用STS最小化这两个状态轮询
CPU开销和系统的功耗。 STS
引脚可以被配置为使用不同的状态
配置命令。在STS管脚默认
RY / BY ＃操作。当低， STS表示该
WSM的执行块擦除，整片擦除，
（多）字/字节写入或块锁定位配置。
STS -高Z表示WSM是准备好了
新的命令，块擦除暂停和（多）
字/字节写操作无效， （多）字/字节写
悬浮，或者该设备是在深度掉电
模式。其他3个备用配置均
脉冲模式用作一个系统中断。
访问时间是1OOns （ tAvav ）在
商用温度范围（0 ％到+ 70 “ C）和
VC， 3.OV - 3.6V的电源电压范围。在较低的V ,,
电压时，访问时间是120ns的（2.7V - 3.6V） 。
自动
省电（ APS ）功能
实质上降低有功电流时，该设备
在静态模式（地址不切换） 。在APS
模式，典型的LCCR电流为3 mA的33V V ,, 。
当CE ＃或CE ＃和RP ＃引脚在Vcc ，
厕所CMOS待机模式下启用。当
RP ＃引脚。在GND ，深度掉电模式
启用最大限度地减少电力消耗
和
提供复位期间写保护。复位时间
（ tpHQv ）从RP ＃需要切换到高
输出是有效的。同样地，该装置具有一个唤醒
时间（ tPHEL ）从RP ＃ - 高，直到写入崔正
认可。随着RP ＃在GND时， WSM被复位，
状态寄存器清零。
该器件采用56引脚SSOP封装（收缩
小外形封装） 。引脚分布示于图2 。
1.1产品概述
该LH28F160S3NS - LLO
是一个高性能16M-
位智能
3闪光灯
内存
有组织的
as
2MBx8/1MBxlG.
数据的2MB被布置在
32 64K字节的块，分别是
可擦除，可锁定和解锁在系统。该
存储器映射如图3所示。
智能3技术提供的Vcc的选择
V i，组合，如表1所示，满足
系统的性能和功耗的期望。 2.N
维生素C ，消耗大约五分之一的功率
5V VCC。副总裁，在2.7V ， 3.3V和SJ消除
需要使用单独的12V转换器，而V i， = 5V
最大限度地消除和写入性能。此外
以灵活的擦除和编程电压，专用
V,,
销给了完整的数据保护时，
vPPsvPPLK 。
表1. I / ..和VPP电压组合
奥菲％D通过智能3技术
VCC电压
VPP电压
2.7V
2.7V, 3.3V, 5V
3.3v
3.3v, 5v
国内
和
发现
电路
VCC
副总裁，
自动配置该设备优化
* CAD和写入操作。
4 COMMAND
用户界面（CUI）作为
系统处理器和内部之间覆盖整个院落
该装置的操作。一个有效的命令序列
写到崔启动设备的自动化。一
nternal写状态机（ WSM ）自动
mecutes算法和定时所需的
ILOCK擦除，整片擦除， （多）字/字节写
和块锁位的配置操作。
4块擦除操作会擦除设备中的一个
i4K字节的块通常在0.41s （ 3.3V的Vcc ， 5V
IPP）独立于其他块。每个块可以是
ndependently
擦除10万次（ 320万
每个设备ILOCK擦除） 。块擦除挂起模式
允许系统软件暂停块擦除到
从任何其他块元首或写入数据。
4字/字节写在字节为单位进行
ypically 12.95u.s内（ 3.3V的Vcc ， 5V V ,,） 。多
vord /字节写操作的高速写入性能
！ .7us /字节（ 3.3V V ,,, 5V副总裁） 。 （多）字/字节
修订版1.9
