SHARP
LHFlGKAl
2
LH28F160S3NSLIO
16M位（ 2MBx8 / 1 MBxl6 ）
智能3快闪记忆体
a
智能3技术
- 2.7V或3.3V的Vcc
- 2.7V ， 3.3V或5V Vpp的
n
增强的数据保护功能
- 绝对保护与Vpp的= GND
- 灵活的块锁定
- 擦除/电源中写入锁定
TRANSITIONS
扩展循环能力
- 100000块擦除周期
- 3.2亿块擦除周期/片
低功耗管理
- 深度掉电模式
- 自动节能模式
ICC降低静态模式
自动的写入和擦除
- 命令的用户界面
- 状态寄存器
行业标准包装
- 56引脚SSOP
ETOXTM 'V非易失
技术
FL灰
通用闪存接口（ CFI ）
- 通用&可升级接口
n
n
可扩展指令集（ SCS ）
高速写入性能
- 32字节×2面页缓冲区
- 2.7 @Byte写入传输速率
高速读取性能
- 1OOns （ 3.3Vk0.3V ）为120ns （ 2.7V - 3.6V ）
工作温度
- 0 ° C至+ 70 “C
n
n
n
n
n
●增强型自动暂停选项
- 写暂停阅读
- 块擦除挂起写
- 块擦除挂起阅读
I
高密度对称阻止
架构
- 三十二个64K字节可擦除块
SRAM兼容
用户可配置
写接口
x8或x16操作
n
n
n
n
CMOS工艺
（ P型硅衬底）
没有设计或额定作为辐射
硬化
.
I
I
SHARP的LH28F160S3NS -L10
闪存智能3技术是一种高密度，低成本，非易失性，
， EAD了广泛的应用/写存储解决方案。其对称封闭的架构，灵活的电压
IND延长循环提供了高度灵活的组件适合居住闪存阵列， SlMMs和内存
：急性呼吸窘迫综合征。其增强的暂停功能，提供了代码+数据存储应用的理想解决方案。为
iecure代码存储应用，如网络，其中代码被直接执行的总分闪光或
下载到DRAM中， LH28F160S3NS -L10
提供了三个级别的保护：采用V绝对保护,,在
苏州高新区，选择硬件模块的锁定，或者灵活的软件模块锁定。这些替代方案为设计人员提供
其代码的安全性需求的最终控制权。
- 他LH28F160S3NS - LLO
是顺应了闪存可扩展指令集（ SCS）和通用闪存接口
CFI）规范，它使通用和升级接口，支持最高系统/设备的数据传输
阿泰和尽量减少设备和系统级的实施成本。
- 他LH28F160S3NSLlO
制造夏普的下午12时35 ETOX TM * V的工艺技术。
idustry标准封装： 56引脚SSOP理想的板受限的应用。
ETOX是Intel Corporation的注册商标。
Rev.1.9
它进来
