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SDRAM 256Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）
直流特性（ X16 ）
（推荐的工作条件，除非另有说明，T
A
= 0 70℃ ）
参数
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流在
掉电模式
符号
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
O
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
第一阵
4banks激活。
t
CCD
= 2CLKs
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
C
L
测试条件
CMOS SDRAM
VERSION
60
140
2
2
20
10
6
6
25
25
75
90
单位注
I
CC1
I
CC2
P
I
CC2
PS
I
CC2
N
I
CC2
NS
I
CC3
P
I
CC3
PS
I
CC3
N
I
CC3
NS
mA
1
mA
mA
预充电待机电流在
非掉电模式
在活动待机电流
掉电模式
在活动待机电流
非掉电模式
（一银行活动）
mA
mA
mA
工作电流
（突发模式）
刷新当前
自刷新电流
I
CC4
170
130
mA
1
I
CC5
I
CC6
200
3
1.5
180
mA
mA
mA
2
3
4
注意事项：
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3. K4S561632E -UC
4. K4S561632E -UL
5.除非另有注意到，输入摆幅级CMOS （V
IH
/V
IL
=V
DDQ
/V
SSQ
).
修订版1.3 2004年8月
