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SDRAM 256Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）
AC特性
（交流工作条件，除非另有说明）
参数
CLK周期时间
CLK为有效
输出延迟
输出数据
保持时间
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
输入建立时间
输入保持时间
CLK到输出中低Z
CLK输出在高阻
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 3
CAS延时= 2
符号
t
CC
t
SAC
t
OH
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
t
SHZ
2.5
-
2.5
2.5
1.5
1
1
5
-
60
民
6
-
最大
1000
5
-
3
3
2.5
2.5
1.5
0.8
1
民
7.5
10
75
CMOS SDRAM
最大
1000
5.4
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
1
1,2
2
3
3
3
3
2
5.4
6
ns
注意事项：
1.参数取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间长于1ns的， （文/ 2-0.5 ）纳秒应该被添加到该参数。
3.假设输入的上升和下降时间（tr & TF） = 1ns的。
如果TR & TF长于1ns的，短暂的时间补偿应该考虑，
即， [ （文+ TF） / 2-1]纳秒应该被添加到该参数。
DQ缓冲器的输出驱动特性
参数
输出上升时间
输出下降时间
输出上升时间
输出下降时间
符号
TRH
TFH
TRH
TFH
条件
测量线性
地区： 1.2V 1.8V
测量线性
地区： 1.2V 1.8V
测量线性
地区： 1.2V 1.8V
测量线性
地区： 1.2V 1.8V
民
1.37
1.30
2.8
2.0
3.9
2.9
典型值
最大
4.37
3.8
5.6
5.0
单位
伏/ NS
伏/ NS
伏/ NS
伏/ NS
笔记
3
3
1,2
1,2
注意事项：
基于0pF 50 + 1上升时间规范
到V
SS
，使用这些值来设计。
基于0pF + 50 2，秋季时间规范
到V
DD
，使用这些值来设计。
3.测量到50pF的唯一，使用这些值来表征。
4.所有测量完成相对于V
SS
.
修订版1.3 2004年8月
