FSDM07652R
功能说明
1.
启动
：在前几代飞兆功率的
开关（ FPS
TM
） Vcc脚有一个外部启动
电阻器的直流输入电压线。在这一代中
启动电阻被替换为内部高压电流
源。在启动时，内部高压电流源
提供内部偏置和对外部电容充电
(C
VCC
） ，其连接到Vcc管脚如示于图
4.当VCC达到12V时， FPS
TM
开始切换和
内部高压电流源被禁止。然后，将
FPS
TM
继续其正常的开关操作和
电力从辅助变压器绕组供给
除非VCC继续低于8V的电压停止。
2.1脉冲由脉冲电流限制：
由于电流模式
控制的情况下，峰值电流通过感应FET的
由PWM比较器的反相输入端限制（ Vfb的*）
如示于图5假设0.9毫安电流
源仅流经内部电阻（ 2.5R + R = 2.8
千欧） ，二极管D2的阴极电压为2.5V左右。由于D1
当反馈电压（ Vfb的）超过2.5V被阻塞，
D2的阴极的最大电压被钳位在此
电压，从而夹紧Vfb的* 。因此，峰值
电流通过感应FET是有限的。
V
DC
C
VCC
2.2前沿消隐（ LEB ）
：在时刻的
内部检测FET导通时，通常存在高
电流尖峰通过感场效应管，引起初级侧
电容及次级整流管反向恢复。
整个RSENSE的电阻会导致电压过高
在电流模式的PWM不正确反馈操作
控制权。为了抵消这种效果，所述的FPS
TM
采用领先
前沿消隐（ LEB ）电路。该电路抑制PWM
比较器，用于短暂时间（t
LEB
）后感FET是
接通。
VCC
3
6
VSTR
VCC
VREF
I
FB
OSC
I
开始
VREF
8V/12V
VCC好
国内
BIAS
Vo
VFB
H11A817A
C
B
I
延迟
4
D1
D2
2.5R
+
V
fb
*
值SenseFET
R
门
司机
KA431
-
图4.内部的启动电路
V
SD
OLP
R
SENSE
图5的脉冲宽度调制（PWM ）电路
2.反馈控制
： FSDM07652R采用电流
模式控制中，如图5所示的光电耦合器（如
该H11A817A ）和分流调节器（如KA431 ）是
通常用于实现反馈网络。
与整个所述电压比较反馈电压
器Rsense电阻加上偏移电压，能够
控制开关的占空比。当参考引脚
在KA431的电压超过内部参考电压
为2.5V ，则H11A817A LED的电流增加，从而拉动
向下的反馈电压和减少占空比。这
事件通常发生在输入电压增加
或输出负载被降低。
3.保护电路
：本FSDM07652R有几个自我
保护功能，如过载保护（ OLP ） ，
异常过流保护（ AOCP ） ，过电压
保护（ OVP）和过热关断（ TSD ） 。因为
这些保护电路完全集成到IC
无需外部元件，可以提高可靠性
在不增加成本。一旦故障发生，
开关被终止，并且检测的FET保持关断。这
导致Vcc的下降。当VCC达到UVLO停止
电压， 8V ，保护复位和内部高
电压电流源充电通过VSTR VCC电容
引脚。当VCC达到UVLO启动电压， 12V时，
FPS
TM
恢复其正常操作。在这种方式中，所述
自动重启动可以交替地启用和禁用开关
功率检测FET的，直到故障状态是
消除（参见图6） 。
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