www.fairchildsemi.com
FSDM0565R
特点
绿色模式飞兆功率开关（ FPS
TM
)
内部雪崩坚固感FET
在1 W先进的突发模式操作消耗的
240VAC & 0.5W负载
精确的固定工作频率（ 66kHz ）
内置启动电路
逐个脉冲电流限制
异常过流保护（ AOCP ）
过电压保护（ OVP ）
过载保护（ OLP ）
内部热关断功能（ TSD ）
自动重启模式
欠压锁定（ UVLO ）与迟滞
低工作电流（ 2.5毫安）
内置软启动
输出功率表
230VAC
±15%
(3)
产品
FSDM0565R
FSDM07652R
Adapt-
er
(1)
60W
70W
开放
FRAME
(2)
70W
80W
85-265VAC
Adapt-
er
(1)
50W
60W
开放
FRAME
(2)
60W
70W
表1.注释：1.典型的连续输出功率是在非文氏
测量在50 °C的环境tilated密闭适配器。 2 。
最大的实际持续输出功率是在敞开式
设计在50 °C的环境。 3. 230 VAC或100/115 VAC带
倍增。
应用
开关电源应用于液晶显示器和机顶盒
适配器
典型电路
描述
该FSDM0565R是一个集成脉宽调制器
（ PWM）和检测FET专门设计的高
高性能离线开关模式电源（ SMPS ）
以最少的外部元件。这个装置是一个
集成高电压功率开关调节器，它
结合雪崩崎岖感FET的电流模式
PWM控制块。 PWM控制器包括集成
固定频率振荡器，欠压锁定，前沿
消隐（ LEB ） ，优化的栅极驱动器，内部软启动，
温度补偿的精确电流源的回路
补偿和自我保护电路。相比
分立MOSFET与PWM控制器解决方案，它可以减少
总成本，元件数量，同时尺寸和重量
提高效率，生产率和系统的可靠性。这
设备是一个基本的平台适合于成本效益的
反激式转换器的设计。
AC
IN
DC
OUT
VSTR
PWM
VFB
漏
VCC
来源
图1.典型的反激式应用
Rev.1.0.5
2005仙童半导体公司
FSDM0565R
引脚德网络nitions
引脚数
1
2
3
引脚名称
漏
GND
VCC
引脚功能说明
该引脚为高电压功率检测FET的漏极。它被设计用来驱动
变压器直接。
此引脚是控制地面和检测FET的源。
该引脚是正电源电压输入。在启动时，电源被抑制
由连接到所述VSTR销的内部高压电流源合股。
当VCC达到12V时，内部高压电流源被禁用，
的电力从辅助变压器绕组供电。
该引脚内部连接到PWM比较器的反相输入端。
光耦合器的集电极通常连接到该引脚。对于稳定运行，
电容应放置在该引脚与GND之间。如果此引脚的电压
达到6.0V ，过负载保护动作造成的停机
FPS
TM
.
-
该引脚直接连接到高压直流母线。在启动时，内部
高压电流源提供内部偏置和收费外钙
pacitor连接到Vcc管脚。一旦cc达到12V时，内部电流
租金来源被禁用。
4
VFB
5
6
N.C
VSTR
引脚配置
TO-220F-6L
6.Vstr
5.N.C.
4.Vfb
3.Vcc
2.GND
1.Drain
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
3
FSDM0565R
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
漏源电压
VSTR最大电压
脉冲漏电流（TC = 25
°C)
(1)
连续漏电流（TC = 25
°C)
连续漏电流（TC = 100
°C)
单脉冲雪崩能量
(2)
单脉冲雪崩电流
(3)
电源电压
输入电压范围
总功率耗散（TC = 25
°C)
工作结温
工作环境温度
存储温度范围
ESD能力， HBM模型（所有引脚
excepts的VSTR和VFB）
ESD能力，机器模型（所有引脚
excepts的VSTR和VFB）
符号
V
DSS
V
STR
I
DM
I
D
E
AS
I
AS
V
CC
V
FB
P
D
（瓦特H / S）
T
j
T
A
T
英镑
-
-
价值
650
650
11
2.8
1.7
190
-
20
-0.3到V
CC
45
内部限制
-25至+85
-55到+150
2.0
(GND-Vstr/Vfb=1.5kV)
300
(GND-Vstr/Vfb=225V)
单位
V
V
A
DC
A
A
mJ
A
V
V
W
°C
°C
°C
kV
V
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 14mH ，开始TJ = 25°C
3， L = 13uH ，开始TJ = 25°C
热阻抗
参数
结到环境的热
结至外壳热
符号
价值
49.90
2.78
单位
° C / W
° C / W
θ
JA
θ
JC
(2)
(1)
注意事项：
1.免费标准下自然对流没有散热片。
2.无限冷却条件 - 参考SEMI G30-88 。
4
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FSDM07652R
特点
绿色模式飞兆功率开关（ FPS
TM
)
内部雪崩坚固感FET
在1 W先进的突发模式操作消耗的
240VAC & 0.5W负载
精确的固定工作频率（ 66kHz ）
内置启动电路
逐个脉冲电流限制
异常过流保护（ AOCP ）
过电压保护（ OVP ）
过载保护（ OLP ）
内部热关断功能（ TSD ）
自动重启模式
欠压锁定（ UVLO ）与迟滞
低工作电流（ 2.5毫安）
内置软启动
输出功率表
230VAC
±15%
(3)
产品
FSDM0565R
FSDM07652R
Adapt-
er
(1)
60W
70W
开放
FRAME
(2)
70W
80W
85-265VAC
Adapt-
er
(1)
50W
60W
开放
FRAME
(2)
60W
70W
表1.注释：1.典型的连续输出功率是在非文氏
测量在50 °C的环境tilated密闭适配器。 2 。
最大的实际持续输出功率是在敞开式
设计在50 °C的环境。 3. 230 VAC或100/115 VAC带
倍增。
应用
开关电源应用于液晶显示器和机顶盒
适配器
典型电路
描述
该FSDM07652R是一个集成脉宽调制器
（ PWM）和检测FET专门设计的高
高性能离线开关模式电源（ SMPS ）
以最少的外部元件。这个装置是一个
集成高电压功率开关调节器，它
结合雪崩崎岖感FET的电流模式
PWM控制块。 PWM控制器包括集成
固定频率振荡器，欠压锁定，从而导致
前沿消隐（ LEB ） ，优化的栅极驱动器，内部软
开始，温度补偿精密电流源的
环路补偿和自我保护电路。相比
与分立MOSFET和PWM控制器解决方案，它可以
降低总成本，元件数量，尺寸和重量simulta-
neously提高效率，生产力和系统
可靠性。这个设备是一个基本的平台适合于成本
有效的设计反激式转换器。
AC
IN
DC
OUT
VSTR
PWM
VFB
漏
VCC
来源
图1.典型的反激式应用
Rev.1.0.6
2005仙童半导体公司
FSDM07652R
引脚德网络nitions
引脚数
1
2
3
引脚名称
漏
GND
VCC
引脚功能说明
该引脚为高电压功率检测FET的漏极。它被设计用来驱动
变压器直接。
此引脚是控制地面和检测FET的源。
该引脚是正电源电压输入。在启动时，电源被抑制
由连接到所述VSTR销的内部高压电流源合股。
当VCC达到12V时，内部高压电流源被禁用，
的电力从辅助变压器绕组供电。
该引脚内部连接到PWM比较器的反相输入端。
光耦合器的集电极通常连接到该引脚。对于稳定运行，
电容应放置在该引脚与GND之间。如果此引脚的电压
达到6.0V ，过负载保护动作造成的停机
FPS
TM
.
-
该引脚直接连接到高压直流母线。在启动时，内部
高压电流源提供内部偏置和收费外钙
pacitor连接到Vcc管脚。一旦cc达到12V时，内部电流
租金来源被禁用。
4
VFB
5
6
N.C
VSTR
引脚配置
TO-220F-6L
6.Vstr
5.N.C.
4.Vfb
3.Vcc
2.GND
1.Drain
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
3
FSDM07652R
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
漏源电压
VSTR最大电压
脉冲漏电流（TC = 25
°C)
(1)
连续漏电流（TC = 25
°C)
连续漏电流（TC = 100
°C)
单脉冲雪崩能量
(2)
单脉冲雪崩电流
(3)
电源电压
输入电压范围
总功率耗散（TC = 25
°C)
工作结温
工作环境温度
存储温度范围
ESD能力， HBM模型（所有引脚
excepts的VSTR和VFB）
ESD能力，机器模型（所有引脚
excepts的VSTR和VFB）
符号
V
DSS
V
STR
I
DM
I
D
E
AS
I
AS
V
CC
V
FB
P
D
（瓦特H / S）
T
j
T
A
T
英镑
-
-
价值
650
650
15
3.8
2.4
370
-
20
-0.3到V
CC
45
内部限制
-25至+85
-55到+150
2.0
(GND-Vstr/Vfb=1.5kV)
300
(GND-Vstr/Vfb=225V)
单位
V
V
A
DC
A
A
mJ
A
V
V
W
°C
°C
°C
kV
V
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 14mH ，开始TJ = 25°C
3， L = 13uH ，开始TJ = 25°C
热阻抗
参数
结到环境的热
结至外壳热
符号
价值
49.90
2.78
单位
° C / W
° C / W
θ
JA
θ
JC
(2)
(1)
注意事项：
1.免费标准下自然对流没有散热片。
2.无限冷却条件 - 参考SEMI G30-88 。
4
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FSDM07652R
特点
绿色模式飞兆功率开关（ FPS
TM
)
内部雪崩坚固感FET
在1 W先进的突发模式操作消耗的
240VAC & 0.5W负载
精确的固定工作频率（ 66kHz ）
内置启动电路
逐个脉冲电流限制
异常过流保护（ AOCP ）
过电压保护（ OVP ）
过载保护（ OLP ）
内部热关断功能（ TSD ）
自动重启模式
欠压锁定（ UVLO ）与迟滞
低工作电流（ 2.5毫安）
内置软启动
输出功率表
230VAC
±15%
(3)
产品
FSDM0565R
FSDM07652R
Adapt-
er
(1)
60W
70W
开放
FRAME
(2)
70W
80W
85-265VAC
Adapt-
er
(1)
50W
60W
开放
FRAME
(2)
60W
70W
表1.注释：1.典型的连续输出功率是在非文氏
测量在50 °C的环境tilated密闭适配器。 2 。
最大的实际持续输出功率是在敞开式
设计在50 °C的环境。 3. 230 VAC或100/115 VAC带
倍增。
应用
开关电源应用于液晶显示器和机顶盒
适配器
典型电路
描述
该FSDM07652R是一个集成脉宽调制器
（ PWM）和检测FET专门设计的高
高性能离线开关模式电源（ SMPS ）
以最少的外部元件。这个装置是一个
集成高电压功率开关调节器，它
结合雪崩崎岖感FET的电流模式
PWM控制块。 PWM控制器包括集成
固定频率振荡器，欠压锁定，从而导致
前沿消隐（ LEB ） ，优化的栅极驱动器，内部软
开始，温度补偿精密电流源的
环路补偿和自我保护电路。相比
与分立MOSFET和PWM控制器解决方案，它可以
降低总成本，元件数量，尺寸和重量simulta-
neously提高效率，生产力和系统
可靠性。这个设备是一个基本的平台适合于成本
有效的设计反激式转换器。
AC
IN
DC
OUT
VSTR
PWM
VFB
漏
VCC
来源
图1.典型的反激式应用
Rev.1.0.6
2005仙童半导体公司
FSDM07652R
引脚德网络nitions
引脚数
1
2
3
引脚名称
漏
GND
VCC
引脚功能说明
该引脚为高电压功率检测FET的漏极。它被设计用来驱动
变压器直接。
此引脚是控制地面和检测FET的源。
该引脚是正电源电压输入。在启动时，电源被抑制
由连接到所述VSTR销的内部高压电流源合股。
当VCC达到12V时，内部高压电流源被禁用，
的电力从辅助变压器绕组供电。
该引脚内部连接到PWM比较器的反相输入端。
光耦合器的集电极通常连接到该引脚。对于稳定运行，
电容应放置在该引脚与GND之间。如果此引脚的电压
达到6.0V ，过负载保护动作造成的停机
FPS
TM
.
-
该引脚直接连接到高压直流母线。在启动时，内部
高压电流源提供内部偏置和收费外钙
pacitor连接到Vcc管脚。一旦cc达到12V时，内部电流
租金来源被禁用。
4
VFB
5
6
N.C
VSTR
引脚配置
TO-220F-6L
6.Vstr
5.N.C.
4.Vfb
3.Vcc
2.GND
1.Drain
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
3
FSDM07652R
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
漏源电压
VSTR最大电压
脉冲漏电流（TC = 25
°C)
(1)
连续漏电流（TC = 25
°C)
连续漏电流（TC = 100
°C)
单脉冲雪崩能量
(2)
单脉冲雪崩电流
(3)
电源电压
输入电压范围
总功率耗散（TC = 25
°C)
工作结温
工作环境温度
存储温度范围
ESD能力， HBM模型（所有引脚
excepts的VSTR和VFB）
ESD能力，机器模型（所有引脚
excepts的VSTR和VFB）
符号
V
DSS
V
STR
I
DM
I
D
E
AS
I
AS
V
CC
V
FB
P
D
（瓦特H / S）
T
j
T
A
T
英镑
-
-
价值
650
650
15
3.8
2.4
370
-
20
-0.3到V
CC
45
内部限制
-25至+85
-55到+150
2.0
(GND-Vstr/Vfb=1.5kV)
300
(GND-Vstr/Vfb=225V)
单位
V
V
A
DC
A
A
mJ
A
V
V
W
°C
°C
°C
kV
V
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 14mH ，开始TJ = 25°C
3， L = 13uH ，开始TJ = 25°C
热阻抗
参数
结到环境的热
结至外壳热
符号
价值
49.90
2.78
单位
° C / W
° C / W
θ
JA
θ
JC
(2)
(1)
注意事项：
1.免费标准下自然对流没有散热片。
2.无限冷却条件 - 参考SEMI G30-88 。
4
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FSDM07652R
特点
绿色模式飞兆功率开关（ FPS
TM
)
内部雪崩坚固感FET
在1 W先进的突发模式操作消耗的
240VAC & 0.5W负载
精确的固定工作频率（ 66kHz ）
内置启动电路
逐个脉冲电流限制
异常过流保护（ AOCP ）
过电压保护（ OVP ）
过载保护（ OLP ）
内部热关断功能（ TSD ）
自动重启模式
欠压锁定（ UVLO ）与迟滞
低工作电流（ 2.5毫安）
内置软启动
输出功率表
230VAC
±15%
(3)
产品
FSDM0565R
FSDM07652R
Adapt-
er
(1)
60W
70W
开放
FRAME
(2)
70W
80W
85-265VAC
Adapt-
er
(1)
50W
60W
开放
FRAME
(2)
60W
70W
表1.注释：1.典型的连续输出功率是在非文氏
测量在50 °C的环境tilated密闭适配器。 2 。
最大的实际持续输出功率是在敞开式
设计在50 °C的环境。 3. 230 VAC或100/115 VAC带
倍增。
应用
开关电源应用于液晶显示器和机顶盒
适配器
典型电路
描述
该FSDM07652R是一个集成脉宽调制器
（ PWM）和检测FET专门设计的高
高性能离线开关模式电源（ SMPS ）
以最少的外部元件。这个装置是一个
集成高电压功率开关调节器，它
结合雪崩崎岖感FET的电流模式
PWM控制块。 PWM控制器包括集成
固定频率振荡器，欠压锁定，从而导致
前沿消隐（ LEB ） ，优化的栅极驱动器，内部软
开始，温度补偿精密电流源的
环路补偿和自我保护电路。相比
与分立MOSFET和PWM控制器解决方案，它可以
降低总成本，元件数量，尺寸和重量simulta-
neously提高效率，生产力和系统
可靠性。这个设备是一个基本的平台适合于成本
有效的设计反激式转换器。
AC
IN
DC
OUT
VSTR
PWM
VFB
漏
VCC
来源
图1.典型的反激式应用
Rev.1.0.6
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FSDM07652R
引脚德网络nitions
引脚数
1
2
3
引脚名称
漏
GND
VCC
引脚功能说明
该引脚为高电压功率检测FET的漏极。它被设计用来驱动
变压器直接。
此引脚是控制地面和检测FET的源。
该引脚是正电源电压输入。在启动时，电源被抑制
由连接到所述VSTR销的内部高压电流源合股。
当VCC达到12V时，内部高压电流源被禁用，
的电力从辅助变压器绕组供电。
该引脚内部连接到PWM比较器的反相输入端。
光耦合器的集电极通常连接到该引脚。对于稳定运行，
电容应放置在该引脚与GND之间。如果此引脚的电压
达到6.0V ，过负载保护动作造成的停机
FPS
TM
.
-
该引脚直接连接到高压直流母线。在启动时，内部
高压电流源提供内部偏置和收费外钙
pacitor连接到Vcc管脚。一旦cc达到12V时，内部电流
租金来源被禁用。
4
VFB
5
6
N.C
VSTR
引脚配置
TO-220F-6L
6.Vstr
5.N.C.
4.Vfb
3.Vcc
2.GND
1.Drain
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
3
FSDM07652R
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
漏源电压
VSTR最大电压
脉冲漏电流（TC = 25
°C)
(1)
连续漏电流（TC = 25
°C)
连续漏电流（TC = 100
°C)
单脉冲雪崩能量
(2)
单脉冲雪崩电流
(3)
电源电压
输入电压范围
总功率耗散（TC = 25
°C)
工作结温
工作环境温度
存储温度范围
ESD能力， HBM模型（所有引脚
excepts的VSTR和VFB）
ESD能力，机器模型（所有引脚
excepts的VSTR和VFB）
符号
V
DSS
V
STR
I
DM
I
D
E
AS
I
AS
V
CC
V
FB
P
D
（瓦特H / S）
T
j
T
A
T
英镑
-
-
价值
650
650
15
3.8
2.4
370
-
20
-0.3到V
CC
45
内部限制
-25至+85
-55到+150
2.0
(GND-Vstr/Vfb=1.5kV)
300
(GND-Vstr/Vfb=225V)
单位
V
V
A
DC
A
A
mJ
A
V
V
W
°C
°C
°C
kV
V
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 14mH ，开始TJ = 25°C
3， L = 13uH ，开始TJ = 25°C
热阻抗
参数
结到环境的热
结至外壳热
符号
价值
49.90
2.78
单位
° C / W
° C / W
θ
JA
θ
JC
(2)
(1)
注意事项：
1.免费标准下自然对流没有散热片。
2.无限冷却条件 - 参考SEMI G30-88 。
4
www.fairchildsemi.com
FSDM07652R
特点
绿色模式飞兆功率开关（ FPS
TM
)
内部雪崩坚固感FET
在1 W先进的突发模式操作消耗的
240VAC & 0.5W负载
精确的固定工作频率（ 66kHz ）
内置启动电路
逐个脉冲电流限制
异常过流保护（ AOCP ）
过电压保护（ OVP ）
过载保护（ OLP ）
内部热关断功能（ TSD ）
自动重启模式
欠压锁定（ UVLO ）与迟滞
低工作电流（ 2.5毫安）
内置软启动
输出功率表
230VAC
±15%
(3)
产品
FSDM0565R
FSDM07652R
Adapt-
er
(1)
60W
70W
开放
FRAME
(2)
70W
80W
85-265VAC
Adapt-
er
(1)
50W
60W
开放
FRAME
(2)
60W
70W
表1.注释：1.典型的连续输出功率是在非文氏
测量在50 °C的环境tilated密闭适配器。 2 。
最大的实际持续输出功率是在敞开式
设计在50 °C的环境。 3. 230 VAC或100/115 VAC带
倍增。
应用
开关电源应用于液晶显示器和机顶盒
适配器
典型电路
描述
该FSDM07652R是一个集成脉宽调制器
（ PWM）和检测FET专门设计的高
高性能离线开关模式电源（ SMPS ）
以最少的外部元件。这个装置是一个
集成高电压功率开关调节器，它
结合雪崩崎岖感FET的电流模式
PWM控制块。 PWM控制器包括集成
固定频率振荡器，欠压锁定，从而导致
前沿消隐（ LEB ） ，优化的栅极驱动器，内部软
开始，温度补偿精密电流源的
环路补偿和自我保护电路。相比
与分立MOSFET和PWM控制器解决方案，它可以
降低总成本，元件数量，尺寸和重量simulta-
neously提高效率，生产力和系统
可靠性。这个设备是一个基本的平台适合于成本
有效的设计反激式转换器。
AC
IN
DC
OUT
VSTR
PWM
VFB
漏
VCC
来源
图1.典型的反激式应用
Rev.1.0.6
2005仙童半导体公司
FSDM07652R
引脚德网络nitions
引脚数
1
2
3
引脚名称
漏
GND
VCC
引脚功能说明
该引脚为高电压功率检测FET的漏极。它被设计用来驱动
变压器直接。
此引脚是控制地面和检测FET的源。
该引脚是正电源电压输入。在启动时，电源被抑制
由连接到所述VSTR销的内部高压电流源合股。
当VCC达到12V时，内部高压电流源被禁用，
的电力从辅助变压器绕组供电。
该引脚内部连接到PWM比较器的反相输入端。
光耦合器的集电极通常连接到该引脚。对于稳定运行，
电容应放置在该引脚与GND之间。如果此引脚的电压
达到6.0V ，过负载保护动作造成的停机
FPS
TM
.
-
该引脚直接连接到高压直流母线。在启动时，内部
高压电流源提供内部偏置和收费外钙
pacitor连接到Vcc管脚。一旦cc达到12V时，内部电流
租金来源被禁用。
4
VFB
5
6
N.C
VSTR
引脚配置
TO-220F-6L
6.Vstr
5.N.C.
4.Vfb
3.Vcc
2.GND
1.Drain
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
3
FSDM07652R
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
漏源电压
VSTR最大电压
脉冲漏电流（TC = 25
°C)
(1)
连续漏电流（TC = 25
°C)
连续漏电流（TC = 100
°C)
单脉冲雪崩能量
(2)
单脉冲雪崩电流
(3)
电源电压
输入电压范围
总功率耗散（TC = 25
°C)
工作结温
工作环境温度
存储温度范围
ESD能力， HBM模型（所有引脚
excepts的VSTR和VFB）
ESD能力，机器模型（所有引脚
excepts的VSTR和VFB）
符号
V
DSS
V
STR
I
DM
I
D
E
AS
I
AS
V
CC
V
FB
P
D
（瓦特H / S）
T
j
T
A
T
英镑
-
-
价值
650
650
15
3.8
2.4
370
-
20
-0.3到V
CC
45
内部限制
-25至+85
-55到+150
2.0
(GND-Vstr/Vfb=1.5kV)
300
(GND-Vstr/Vfb=225V)
单位
V
V
A
DC
A
A
mJ
A
V
V
W
°C
°C
°C
kV
V
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 14mH ，开始TJ = 25°C
3， L = 13uH ，开始TJ = 25°C
热阻抗
参数
结到环境的热
结至外壳热
符号
价值
49.90
2.78
单位
° C / W
° C / W
θ
JA
θ
JC
(2)
(1)
注意事项：
1.免费标准下自然对流没有散热片。
2.无限冷却条件 - 参考SEMI G30-88 。
4
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FSDM0565R
特点
绿色模式飞兆功率开关（ FPS
TM
)
内部雪崩坚固感FET
在1 W先进的突发模式操作消耗的
240VAC & 0.5W负载
精确的固定工作频率（ 66kHz ）
内置启动电路
逐个脉冲电流限制
异常过流保护（ AOCP ）
过电压保护（ OVP ）
过载保护（ OLP ）
内部热关断功能（ TSD ）
自动重启模式
欠压锁定（ UVLO ）与迟滞
低工作电流（ 2.5毫安）
内置软启动
输出功率表
230VAC
±15%
(3)
产品
FSDM0565R
FSDM07652R
Adapt-
er
(1)
60W
70W
开放
FRAME
(2)
70W
80W
85-265VAC
Adapt-
er
(1)
50W
60W
开放
FRAME
(2)
60W
70W
表1.注释：1.典型的连续输出功率是在非文氏
测量在50 °C的环境tilated密闭适配器。 2 。
最大的实际持续输出功率是在敞开式
设计在50 °C的环境。 3. 230 VAC或100/115 VAC带
倍增。
应用
开关电源应用于液晶显示器和机顶盒
适配器
典型电路
描述
该FSDM0565R是一个集成脉宽调制器
（ PWM）和检测FET专门设计的高
高性能离线开关模式电源（ SMPS ）
以最少的外部元件。这个装置是一个
集成高电压功率开关调节器，它
结合雪崩崎岖感FET的电流模式
PWM控制块。 PWM控制器包括集成
固定频率振荡器，欠压锁定，前沿
消隐（ LEB ） ，优化的栅极驱动器，内部软启动，
温度补偿的精确电流源的回路
补偿和自我保护电路。相比
分立MOSFET与PWM控制器解决方案，它可以减少
总成本，元件数量，同时尺寸和重量
提高效率，生产率和系统的可靠性。这
设备是一个基本的平台适合于成本效益的
反激式转换器的设计。
AC
IN
DC
OUT
VSTR
PWM
VFB
漏
VCC
来源
图1.典型的反激式应用
Rev.1.0.5
2005仙童半导体公司
FSDM0565R
引脚德网络nitions
引脚数
1
2
3
引脚名称
漏
GND
VCC
引脚功能说明
该引脚为高电压功率检测FET的漏极。它被设计用来驱动
变压器直接。
此引脚是控制地面和检测FET的源。
该引脚是正电源电压输入。在启动时，电源被抑制
由连接到所述VSTR销的内部高压电流源合股。
当VCC达到12V时，内部高压电流源被禁用，
的电力从辅助变压器绕组供电。
该引脚内部连接到PWM比较器的反相输入端。
光耦合器的集电极通常连接到该引脚。对于稳定运行，
电容应放置在该引脚与GND之间。如果此引脚的电压
达到6.0V ，过负载保护动作造成的停机
FPS
TM
.
-
该引脚直接连接到高压直流母线。在启动时，内部
高压电流源提供内部偏置和收费外钙
pacitor连接到Vcc管脚。一旦cc达到12V时，内部电流
租金来源被禁用。
4
VFB
5
6
N.C
VSTR
引脚配置
TO-220F-6L
6.Vstr
5.N.C.
4.Vfb
3.Vcc
2.GND
1.Drain
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
3
FSDM0565R
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
漏源电压
VSTR最大电压
脉冲漏电流（TC = 25
°C)
(1)
连续漏电流（TC = 25
°C)
连续漏电流（TC = 100
°C)
单脉冲雪崩能量
(2)
单脉冲雪崩电流
(3)
电源电压
输入电压范围
总功率耗散（TC = 25
°C)
工作结温
工作环境温度
存储温度范围
ESD能力， HBM模型（所有引脚
excepts的VSTR和VFB）
ESD能力，机器模型（所有引脚
excepts的VSTR和VFB）
符号
V
DSS
V
STR
I
DM
I
D
E
AS
I
AS
V
CC
V
FB
P
D
（瓦特H / S）
T
j
T
A
T
英镑
-
-
价值
650
650
11
2.8
1.7
190
-
20
-0.3到V
CC
45
内部限制
-25至+85
-55到+150
2.0
(GND-Vstr/Vfb=1.5kV)
300
(GND-Vstr/Vfb=225V)
单位
V
V
A
DC
A
A
mJ
A
V
V
W
°C
°C
°C
kV
V
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 14mH ，开始TJ = 25°C
3， L = 13uH ，开始TJ = 25°C
热阻抗
参数
结到环境的热
结至外壳热
符号
价值
49.90
2.78
单位
° C / W
° C / W
θ
JA
θ
JC
(2)
(1)
注意事项：
1.免费标准下自然对流没有散热片。
2.无限冷却条件 - 参考SEMI G30-88 。
4
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