FFB3906 / FMB3906 / MMPQ3906
FFB3906
E2
B2
C1
FMB3906
C2
E1
C1
E1
MMPQ3906
E2
B2
E3
B3
E4
B4
B1
SC70-6
马克： .2A
针＃ 1
C2
B1
E1
针＃ 1
B1
B2
E2
C2
C1
C3
C2
C4
C4
C3
注：该引脚是对称的;引脚1和
4顷互换。在载体内的单位可以
是任一方向的，并且不会影响到
该装置的功能。
SuperSOT
-6
马克： .2A
SOIC-16
马克： MMPQ3906
针＃ 1
C1
PNP多芯片通用放大器
该器件是专为通用放大器和开关
在10集电极电流的应用
A
为100 mA。来源
从过程66 。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
40
40
5.0
200
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
有效的4模
每个模具
FFB3904
300
2.4
415
最大
FMB3904
700
5.6
180
MMPQ3904
1,000
8.0
125
240
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
1998年仙童半导体公司
FFB3906 / FMB3906 / MMPQ3906
PNP多芯片通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
集电极 - 发射极击穿
电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CE
= 30 V, V
BE
= 3.0 V
V
CE
= 30 V, V
BE
= 3.0 V
40
40
5.0
50
50
V
V
V
nA
nA
基本特征
h
FE
直流电流增益*
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
60
80
100
60
30
300
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
0.65
0.25
0.4
0.85
0.95
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
噪声系数
（ MMPQ3906除外）
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 20 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 5.0 V，I
E
= 0,
F = 100千赫
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0,
F = 100千赫
I
C
= 100
A,
V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 1.0kΩ ， F = 10 Hz至15.7千赫
450
3.0
8.0
2.5
兆赫
pF
pF
dB
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 3.0 V, V
BE
= 0.5 V,
I
C
= 10 mA时，我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0 V，I
C
= 10毫安
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
15
20
110
40
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
SPICE模型
PNP （ IS = 1.41f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 18.7 BF = 180.7 NE = 1.5伊势= 0 IKF = 80米XTB = 1.5 BR = 4.977 NC = 2的Isc = 0 Ikr的= 0
RC = 2.5 CJC = 9.728p建超= 0.5776 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 8.063p MJE = 0.3677 VJE = 0.75 TR表示33.42n铁蛋白= 179.3p ITF = 0.4 VTF = 4
XTF = 6的Rb = 10 ）
FFB3906 / FMB3906 / MMPQ3906
PNP多芯片通用放大器
（续）
典型特征
V
CESAT
- 集电极发射极电压（V ）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
250
V
CE
= 1.0V
125 °C
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
125 C
25 °C
β
= 10
200
150
25 °C
100
- 40 °C
0.05
0
- 40 C
50
0.1 0.2
0.5 1
2
5
10 20
I
C
- 集电极电流（毫安）
50
100
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
200
V
BE（上）
- 基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
0.8
25 °C
基极发射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
- 40 C
β
= 10
- 40 C
0.6
0.4
0.2
0
125 C
0.6
0.4
0.2
0
0.1
25 °C
125 C
V
CE
= 1V
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
200
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
25
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
100
V
10
CB
共基极开路
输入和输出电容
VS反向偏置电压
10
敖包
= 25V
电容（pF）
8
6
4
2
0
0.1
IBO
1
0.1
0.01
25
50
75
100
T
A
- 环境温度（ C）
125
1
反向偏置电压（V）的
10
FFB3906 / FMB3906 / MMPQ3906
PNP多芯片通用放大器
（续）
典型特征
（续）
噪声系数与频率
6
V
CE
= 5.0V
NF - 噪声系数（dB ）
5
4
3
2
I C = 1.0毫安，R S = 200Ω
I C = 100
A,
R 5 = 200Ω
噪声系数VS源电阻
12
NF - 噪声系数（dB ）
10
8
6
4
I C = 100
A
I C = 1.0毫安
V
CE
= 5.0V
F = 1.0千赫
1
0
0.1
I C = 100
A,
R 5 = 2.0千欧
2
0
0.1
1
10
的F - 频率（KHz ）
100
1
10
R
S
- 源电阻（
k
)
100
开关时间
VS集电极电流
500
ts
开启和关闭时间
VS集电极电流
500
吨关闭
I
c
10
T ON
100
时间（纳秒）
100
时间（纳秒）
T ON
I
B1
=
tf
10
I
B1
= I
B2
=
I
c
10
tr
10
V
BE （OFF）的
= 0.5V
吨关闭
I = I =
B1
B2
I
c
10
td
1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
SOIC-16
0.75
SOT-6
0.5
SC70-6
0.25
0
0
25
50
75
100
温度（℃）
125
150
FFB3906 / FMB3906 / MMPQ3906
PNP多芯片通用放大器
（续）
典型特征
（续）
_4
)
电压反馈比例
100
h
ie
- 输入阻抗（K
)
10
输入阻抗
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
h
re
- 电压反馈比率（ X10
10
1
1
0.1
1
I
C
- 集电极电流（毫安）
10
0.1
0.1
1
I
C
- 集电极电流（毫安）
10
输出导纳
h
oe
- 输出导纳（
姆欧）
1000
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
h
fe
- 电流增益
1000
500
电流增益
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
200
100
50
100
20
10
0.1
1
I
C
- 集电极电流（毫安）
10
10
0.1
1
I
C
- 集电极电流（毫安）
10
QQ：2880707522 复制
