EDS1216AABH ， EDS1216CABH
DQM控制
该UDQM和LDQM掩盖的DQ数据的上部和下部的字节上。 UDQM的定时和
LDQM是在阅读和写作不同。
阅读
当数据被读出时，输出缓冲器能够通过UDQM和LDQM来控制。通过设置UDQM和LDQM为低，
输出缓冲区变为低 - Z ，使数据输出。通过设置UDQM和LDQM为高时，输出缓冲
成为高阻抗，并且相应的数据不被输出。但是，内部的阅读行动仍在继续。该
UDQM和LDQM的过程中读取的等待时间为2个时钟周期。
写作
输入数据可通过UDQM和LDQM被屏蔽。通过设置DQM为低时，数据可被写入。另外，当
UDQM和LDQM被设置为高时，相应的数据不被写入，和先前的数据被保持。潜伏期
在写入过程中UDQM和LDQM是0的时钟。
CLK
UDQM
LDQM
DQ
高-Z
出0
出1
OUT 3
LDOD
= 2延迟
阅读
CLK
UDQM
LDQM
DQ
在0
IN 1
IN 3
LDID
= 0延迟
写作
数据表E0410E40 （版本4.0 ）
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