位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第17页 > EDS1216CABH-75-E > EDS1216CABH-75-E PDF资料 > EDS1216CABH-75-E PDF资料1第34页
EDS1216AABH ， EDS1216CABH
阅读与自动预充电写命令的间隔
1.不同的银行：当一些银行处于活动状态，第二个写命令（另一家银行）执行。
然而， UDQM和LDQM必须设定高，使得输出缓冲器变成高阻抗数据输入之前。该
内部自动预充电一家银行开始在第二个命令的下一个时钟。
CLK
命令
BS
UDQM
LDQM
READA
WRIT
CL = 2
CL = 3
在B0
在B1
在B2
在B3
DQ （输入）
DQ （输出）
bank0
READA
高-Z
bank3
写
＆ QUOT ;.
BL = 4
注：内部自动预充电开始于由"指定的时间
阅读与自动预充电写命令区间（不同银行）
2.同一家银行：读取自动预充电（同一银行）的连续写入命令是非法的。这是
要与银行主动命令分开的两个命令。
自动预充电写读命令间隔
1.不同的银行：当一些银行处于活动状态，第二个读命令（另一家银行）执行。
然而，在发生突发写入的数据将继续被写入到一个时钟之前的读取命令是
执行。内部自动预充电一家银行的起价为2个时钟后，从第二个命令。
CLK
命令
BS
UDQM
LDQM
WRITA
读
DQ （输入）
DQ （输出）
在A0
从B0
bank0
WRITEA
bank3
读
OUT B1
OUT B2
从B3
CL = 3
BL = 4
＆ QUOT ;.
注：内部自动预充电开始于由"指定的时间
带自动预充电写入读命令区间（不同银行）
2.同一家银行：从写自动预充电（同一银行）的连续读命令是非法的。这是
要与银行主动命令分开的两个命令。
数据表E0410E40 （版本4.0 ）
34
