EDS1216AABH ， EDS1216CABH
上电顺序
上电顺序
SDRAM中应推移以下序列与加电。
在CLK ， CKE ， / CS ， DQM和DQ引脚保持低电平，直到电源稳定。
CLK引脚不到100微秒稳压电源下面的初始化序列之前稳定后。
该CKE和DQM驱动高功率之间的稳定和初始化序列。
该SDRAM具有VDD钳位二极管的CLK ， CKE ，地址， / RAS ， / CAS ， / WE ， / CS ， DQM和DQ引脚。如果这些
引脚变为高电平之前开机，从这些引脚的大电流流至VDD的二极管。
初始化序列
当上述电顺序经过200微秒以上已经过去，所有银行都必须使用预充电
预充电命令（ PALL ） 。 tRP的延迟后，设置8个或更多的自动刷新命令（ REF ） 。设置模式寄存器
set命令（ MRS）来初始化模式寄存器。我们建议通过保持DQM和CKE为高时，
输出缓冲器变过程中的初始化序列高Z ，以避免对存储系统的DQ总线争用形成
与一些设备的。
上电顺序
100
s
VDD ， VDDQ
CKE ，
UDQM ， LDQM
CLK
/ CS ， DQ
0V
低
低
低
电源稳定
初始化序列
200
s
上电顺序和初始化顺序
数据表E0410E40 （版本4.0 ）
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