EDS1216AABH ， EDS1216CABH
指令操作
命令真值表
SDRAM的识别由/ CS指定下面的命令， / RAS ， / CAS ， / WE和地址引脚。
CKE
功能
设备取消
无操作
突发停止
读
阅读与自动预充电
写
写带自动预充电
银行激活
预充电选择银行
预充电所有银行
模式寄存器设置
符号
DESL
NOP
BST
读
READA
WRIT
WRITA
法案
PRE
PALL
太太
n–1
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
n
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
/ CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
/ RAS
×
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
/ CAS
×
H
H
L
L
L
L
H
H
H
L
/ WE
×
H
L
H
H
L
L
H
L
L
L
BA1
×
×
×
V
V
V
V
V
V
×
L
BA0
×
×
×
V
V
V
V
V
V
×
L
A10
×
×
×
L
H
L
H
V
L
H
L
A0到
A11
×
×
×
V
V
V
V
V
×
×
V
注： H： VIH 。 L： VIL 。
×:
VIH或VIL 。五：有效的地址输入。
装置取消命令[ DESL ]
当这个命令被设置（ / CS为高电平）时，忽略SDRAM在时钟指令输入。但是，内部
状态保持。
无操作[ NOP ]
该命令不是一个执行命令。但是，内部操作继续。
突发停止命令[ BST ]
这个命令可以停止当前突发操作。
列地址选通和读命令[读取]
此命令启动一个读操作。此外，脉冲串读出的起始地址由列确定
地址（请参阅地址引脚表中的引脚功能）和银行选择地址（ BA0 ， BA1 ） 。后读操作，
输出缓冲器变成高阻抗。
阅读与自动预充电[ READA ]
此命令自动读取用的1 ，2，4或8的突发长度的突发后进行预充电操作。
列地址选通和写命令[ WRIT ]
此命令启动写操作。当选择猝发写模式中，列地址（参照地址
销表中引脚功能）和银行选择地址（ BA0 ， BA1 ）成为突发写入起始地址。当
选择单写入模式下，数据只写入到由列地址指定的位置（见地址引脚
表中的引脚功能）和银行选择地址（ BA0 ， BA1 ） 。
带自动预充电[ WRITA ]写
此命令自动突发写入与后一个的长度为1 ，2，4或8，或之后执行预充电操作
单写操作。
数据表E0410E40 （版本4.0 ）
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