M40SZ100Y ， M40SZ100W
表5. DC特性
符号
I
CC
I
CCDR
参数
电源电流
数据保持方式
当前
(2)
输入漏
当前
输入漏
电流（ PFI ）
输出漏
当前
V
OUT
当前
（有源）
V
OUT
当前
（备用电池）
电池电压
输入高电压
输入低电压
输出高
电压
(7)
V
OH
电池后台
up
(8)
输出低电压
V
OL
输出低电压
（漏极开路）
(9)
电源故障取消
电压
PFI输入阈值
PFI滞后
V
SO
注： 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
测试条件
(1)
输出打开
M40SZ100Y
民
典型值
最大
1
50
200
±1
–25
2
25
±1
175
100
2.5
0.7V
CC
–0.3
3.0
3.5
(6)
2.5
–25
民
M40SZ100W
典型值
最大
0.5
50
200
±1
2
25
±1
100
100
3.0
3.5
(6)
V
CC
+ 0.3
0.3V
CC
单位
mA
nA
A
nA
A
mA
A
V
V
V
V
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
I
LI(3)
I
LO(4)
I
OUT1(5)
I
OUT2
V
BAT
V
IH
V
IL
V
OH
V
OHB
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
V
OUT
＆ GT ; V
CC
– 0.3
V
OUT
＆ GT ; V
BAT
– 0.3
V
CC
+ 0.3 0.7V
CC
0.3V
CC
–0.3
2.4
2.9
3.5
0.4
0.4
2.5
2.9
I
OH
= -1.0mA
I
OUT2
= –1.0A
I
OL
= 3.0毫安
I
OL
= 10毫安
2.4
2.5
3.5
0.4
0.4
V
V
V
V
V
mV
V
V
PFD
4.20
V
CC
= 5V （ Y）
V
CC
= 3V(V)
PFI上升
1.225
4.40
1.250
20
2.5
4.50
1.275
70
2.55
1.225
2.60
1.250
20
2.5
2.70
1.275
70
V
PFI
备用电池
切换电压
适用于工作环境温度：T已
A
= -40 85 ℃; V
CC
= 2.7 3.6V或4.5 5.5V （除非另有说明） 。
与V测
OUT
与ê
CON
开。
RSTIN内部上拉至V
CC
通过100KΩ电阻。
输出取消。
外部SRAM必须与监控芯片V
CC
规格（ 3V或5V ） 。
用于可再充电的后备，V
BAT
（最大）可被认为V
CC
– 0.5V.
对于PFO引脚（ CMOS ） 。
芯片使能输出（E
CON
）只能维持在电池备份模式CMOS漏电流。较高的漏电流将重新
领袖的电池寿命。
9.对于RST & BL引脚（漏极开路） 。
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