M40SZ100Y ， M40SZ100W
图7.硬件接线图
3.0V ， 3.3V或5V
调节器
无管制
电压
VIN
VCC
VCC
VOUT
VCC
M40SZ100Y
M40SZ100W
E
从微处理器
RSTIN
R1
PFI
R2
VSS
VBAT
(1)
0.1F
0.1F
1MB或4Mb的
LPSRAM
E
ECON
PFO
RST
BL
微处理器NMI
微处理器复位
电池监控电路
AI04767
注： 1.用户提供了16 -pin封装
最大额定值
强调上面列出的等级的设备
“绝对最大额定值”表可能会导致
永久损坏设备。这些都是
值仅为设备的操作
这些或任何高于它指示其他条件
编辑本说明书中的操作部分是
表2.绝对最大额定值
符号
T
英镑
T
SLD(1)
V
IO
V
CC
I
O
P
D
参数
存储温度（V
CC
OFF ）
无铅焊锡温度为10秒
输入或输出电压
电源电压
输出电流
功耗
不是暗示。暴露在绝对最大额定
荷兰国际集团的条件下长时间可能会影响DE-
副
可靠性。
参考
还
to
该
意法半导体SURE计划和其他rel-
埃文特高质量的文档。
价值
SNAPHAT
SOIC
-40到85
-55至125
260
-0.3到V
CC
+0.3
M40SZ100Y
M40SZ100W
-0.3 7
-0.3 4.6
20
1
单位
°C
°C
°C
V
V
V
mA
W
注：1，回流在215 ℃的峰值温度下，以225℃为< 60秒（总热预算不超过180℃之间的90至120
秒）。
注意事项：
负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。
注意事项：
不要波焊SOIC ，以避免损坏SNAPHAT插座。
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