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三菱的LSI
M5M4V16169DTP/RT-7,-8,-10,-15
16MCDRAM ： 16M （ 1M - WORD 16位）缓存的DRAM与16K （ 1024字×16位） SRAM
引脚说明（ 1 ）
K
输入
主时钟提供基本的定时和内部时钟频率为
该CDRAM 。所有外部定时参数（在读周期除G＃
和CMD ＃在自我更新周期）是相对于K的上升沿规定
DRAM时钟面膜控制内部DRAM主时钟（ K）的操作。
当CMD ＃为K，内部DRAM主时钟（ K）的上升沿低
下面的循环停止和输入级是已关闭的，导致在DRAM
断电。
行地址选通脉冲是用于与主时钟K（视
的CMD ＃ ， CAS＃和＃ DTD ）状态，激活DRAM （锁存行地址
行和访问1 4096行） ，启动DRAM预充电周期，执行
DRAM读或写传输， DRAM写入传输&读取，设置命令
寄存器，启动自动刷新周期，进入自刷新周期，创造DRAM
NOP周期，或者断电的DRAM 。
列地址选通脉冲是用于与主机时钟K至锁存
列地址。当在一个DRAM的存取周期之前， RAS＃ ，CAS＃
启动DRAM写入传输（ WB 1 / 2 -> DRAM ，如果DTD ＃ = L ） ， DRAM写入
转让&读（ WB 1 / 2 -> DRAM -> RB ，如果DTD ＃ = L）或DRAM读取传输
（DRAM -> RB，如果DTD ＃ = H）的，取决于DTD ＃的状态（参见DTD ＃销
描述）。
数据传送方向控制DRAM到RB （读取） / WB-到DRAM （写）
方向。如果前面有一个RAS ＃低循环，既CAS ＃和＃ DTD低（在
的K上升沿）启动DRAM写入传输周期。如果DTD ＃居高不下的
上述条件下，一个DRAM的读传输周期的结果。 DTD ＃也可以启动
激活DRAM ， DRAM预充电，自动刷新，设置命令寄存器，并
自刷新周期。
DRAM的地址线进行复用，以减少引脚数。 AD0 - AD11 （ @
RAS =低， CAS =高， DTD =高， K =上升沿）指定的行地址
DRAM激活并刷新选定的页面，AD3所- AD7 （ @
RAS =高， CAS =低， K =上升沿）指定DRAM的块地址。在
此外，为Ad0 - Ad2的（ @ = RAS高， CAS =低， K =上升沿）指定转移
DRAM的操作。也为Ad0 - AD9 （ @ RAS =低， CAS =低， DTD =低，
K =上升沿）被用作set命令寄存器周期的指令。
片选控制CDRAM的操作。当CS ＃ =在上升H
的K和先前CMD ＃或＃ CM的边缘为高时，芯片处于无操作
模式。
SRAM时钟面膜控制内部SRAM主时钟（KS ）的操作。
时的CM ＃被断言日K的上升沿，内部SRAM的主时钟
下面的循环悬浮，产生在SRAM部的向下的力量
电路，包括检测放大器的。的CM ＃也可用于保持输出
在SRAM掉电数据。
CMD ＃
输入
RAS ＃
输入
CAS ＃
输入
DTD ＃
输入
Ad0-Ad11
输入
CS ＃
输入
CM的＃
输入
三菱电机
（ 1.0版）， 1998年7月
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