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三菱的LSI
M5M4V16169DTP/RT-7,-8,-10,-15
16MCDRAM ： 16M （ 1M - WORD 16位）缓存的DRAM与16K （ 1024字×16位） SRAM
功能真值表
助记符
SRAM
前
As
（ SRAM
地址）
前
DRAM
CMD ＃ RAS ＃ CAS ＃ DTD ＃
Ad
(
DRAM地址
)
AD2 AD1 AD0
CODE
NOP
SPD
LBM
DES
SR
SW
BRT
BWT
BRTR
BWTW
BR
BW
DPD
DNOP
DRT
DWT1
DWT1R
DWT2
DWT2R
DWT3
DWT3R
DWT4
DWT4R
法案
PCG
ARF
SRF
SCR
CS ＃
CM的CC0 ＃ ＃ ＃ CC1
（ U / L ）
WE＃ As0-9
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
L
L
L
L
L
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H
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X
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X
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L
L
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X
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X
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X
X
X
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L
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H
H
L
L
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X
X
X
X
X
X
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X
X
X
X
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X
X
X
H
X
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H
L
L
H
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H
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X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
X
H
L
H
L
H
L
H
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
As0-9
As0-9
As3-9
As3-9
(2)
(2)
DQC
Ad0-11
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
Ad3-7
(2)
（ Col.Block ）
Ad3-7
(2)
（ Col.Block ）
Ad3-7
(2)
（ Col.Block ）
Ad3-7
(2)
（ Col.Block ）
Ad3-7
(2)
（ Col.Block ）
Ad3-7
(2)
（ Col.Block ）
Ad3-7
(2)
（ Col.Block ）
Ad3-7
(2)
（ Col.Block ）
Ad3-7
(2)
（ Col.Block ）
Ad0-11
（行添加。 ）
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
(7)
(8)
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
(1)
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
(1)
H
L
L
L
L
L
L
L
L
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H
H
L
L
L
X
X
X
X
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X
X
X
X
X
X
(1)
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
H
H
L
As0-9
As0-9
As0-2
(2)
As0-2
(2)
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
0
0
0
0
1
1
1
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0
0
0
1
1
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0
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
X
X
X
命令
笔记
1）对于所述DPD功能时，RAS ＃ ，CAS＃和DTD ＃输入为
DO NOT CARE除了为L，L ，H的组合。 （分别） 。
2）未使用的地址必须被设置为低。
3 ）使用新：如果BW或BWT或BWTW启动同一周期
作为DWT1或DWT1R ，新的数据被加载到缓冲器
并转移到DRAM中。
4 ）清除1或2传输屏蔽位（由As0-2和DQCU / L的处理） 。
5 ）比特传输的实际数量取决于DTBW面膜的状态，
在DQCU / DQCL输入。注意：如果DQC （U / L ）为低时，相应的DQ （多个）
为被禁用（输入和输出缓冲） 。 SR ， SW ， BR和BW周期
与DQCU和DQCL低导致取消SRAM的工作。
6 ）按DWT1或DWT1R周期，整个WB1转移掩码设置。
（也就是说，数据不再能够从WB1转移到DRAM ）。
随后的缓冲区写操作或缓冲区写入传输将清除屏蔽位。
7 ）在当前周期CMD ＃一定要高（见自动刷新时序图） 。
8 ）在当前周期CMD ＃要低（见自刷新时序图） 。
三菱电机
（ 1.0版）， 1998年7月
4
