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三菱的LSI
M5M4V16169DTP/RT-7,-8,-10,-15
16MCDRAM ： 16M （ 1M - WORD 16位）缓存的DRAM与16K （ 1024字×16位） SRAM
模式说明（ 10 ）
DRAM
激活
DRAM
预充电
地址从为Ad0 - AD11输入由K的上升沿在内部锁存的，一个DRAM行是
选择（页调用） ，准备一个DRAM读或写传输周期。一个DRAM预充电
循环必须分离所有DRAM激活周期。
在内部，积极DRAM行取消（在完成刷新过程）和页面模式
禁用。所述DRAM的前另一个DRAM激活周期预充电。
在内部，一个DRAM的行被选中，并刷新（由内部，自递增为解决
计数器），其次是内部产生的预充电周期。自动刷新周期可以
实现了只有在DRAM处于预充电状态（即预充电或自动刷新周期
发生时间比一个Acitvate循环） 。 DRAM的自刷新功能类似于一个CAS-在─
RAS （ CBR ）模式标准的DRAM 。
所有的时钟缓冲器被暂停，而CMD ＃异步控制自刷新（ CMD ＃上涨
边缘开始退出自刷新） 。在自刷新，器件进入低功耗模式，带
2048自动刷新周期。
当可控硅开始，现在就为Ad0 - AD11 DRAM地址引脚的地址确定
DRAM读取传输延迟，输出模式（透明/锁定/注册） ，并WB1
传输蒙版模式（设置所有/没有变化） 。没有DRAM的操作在此周期中执行。请参阅
可控硅真值表合法地址的值。
在SCR周期和以下3个时钟周期（共4个时钟周期） ，只有NOP ， DNOP orDPD
允许在DRAM部分，只有NOP ， DES或SPD在SRAM部分完成。该集
命令是有效的，至少在上述4个时钟周期后之后和之前的功能是不
保证正常工作，如果它尚未完成。 （即DRT ， DWT1&R ， DWT2&R和SR ， BR和
BRTR与已注册的输出模式）。
DRAM
自动刷新
DRAM
自刷新
SET
命令
注册
注意事项：
1)
这个功能是在存取延迟表中指定的延迟时间执行。
2)
潜伏期（在存取延迟表中指定）后，新的数据将出席
在读缓冲器2 。前的等待时间超时，旧的数据将出现在RB2 。
3)
在数据已经从WB1 ，整个WB1掩码设置。
4)
有效为Ad0 - Ad2的地址被显示在功能真值表。
上电序列
在开始正常工作之前，在序列中的以下电源是必要的。
1 ）接通电源，并为500US维持稳定的电力（暂停） 。
2 ）进行预充电（ PCG ）操作。
3 ）激进党后，执行8自动刷新命令（ ARF）有足够的间隔（ TRC） 。
4 ）发出set命令寄存器（ SCR） ，用来初始化模式寄存器。
此序列后， RAM处于空闲状态，并可以正常运行。
注意， DNOP / DPD和DES / SPD或NOP命令将待机命令
对于上述电顺序。
VCC必须打开电源的同时或之前VCCQ是。
和Vcc的必须关掉电源的同时或之后VCCQ是关闭的。
三菱电机
（ 1.0版）， 1998年7月
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