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三菱的LSI
M5M4V16169DTP/RT-7,-8,-10,-15
16MCDRAM ： 16M （ 1M - WORD 16位）缓存的DRAM与16K （ 1024字×16位） SRAM
模式说明（ 8 ）
数据（ 8X16块）从WB1 WB2通过转移给指定的DRAM模块
地址Ad3的- AD7 。地址的AD8 - AD9必须设置为低。目前在字节掩码
MaskRegister控制写入到DRAM中的数据。字节掩码寄存器设置为加载的字节
掩模的周期，其中，相应的字节掩码根据在周期的DQ数据集。 （注
4,5） WB1和数据WBM1的掩码数据被然而tranferred到WB2和WBM2 ，
WBM1 / 2在这个循环不使用。
Ad3-7
1of32
解码
8X16
DRAM
256KX16
DRAM RowDecoder
8X16Block
DRAM写入
Transfer3
DQ0-7
低字节高字节
Ad0-11
1of4096Decode
8X16
WB2
RB1
DQ8-15
低字节
高字节
As0-2
1of8Decode
8X16
As0-2
1of8
解码
RB2
低字节
高字节
16bits
的DQ
16bits
8X16
WB1
低字节
高字节
X
16bits
8X16
8X16Block
16bits
SRAM
1KX16
SRAM RowDecoder
As3-9
1of128Decode
As0-2
1of8Decode
数据（ 8X16块）从WB1 WB2通过转移给指定的DRAM模块
地址Ad3的- AD7 。地址的AD8 - AD9必须设置为低。目前在字节掩码
MaskRegister控制写入到DRAM中的数据。到的数据被写入该块
DRAM被同时传送到读缓冲器。 （注1,2,4,5 ）
Ad3-7
1of32
解码
8X16
DRAM
256KX16
DRAM RowDecoder
8X16Block
DRAM写入
Transfer3
＆放大器;读
Ad0-11
1of4096Decode
8X16
DQ0-7
低字节高字节
WB2
RB1
DQ8-15
低字节
高字节
As0-2
1of8Decode
8X16
As0-2
1of8
解码
RB2
低字节
高字节
16bits
的DQ
16bits
8X16
WB1
低字节
高字节
X
16bits
8X16
8X16Block
16bits
SRAM
1KX16
SRAM RowDecoder
As3-9
1of128Decode
As0-2
1of8Decode
三菱电机
（ 1.0版）， 1998年7月
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